Eu3+:Y2SiO5晶体透射光谱和荧光谱研究

在室温条件下,对Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱和４５７．９ｎｍＡｒ＾＋激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Ｅｕ＾３＋离子在Ｙ２ＳｉＯ５晶体中占据两种最低对称性Ｃ１格位。利用透射光谱和荧光谱对Ｅｕ＾３＋离子的最低激发态＾５Ｄ０的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在＾５Ｄ０态两种格位谱的谱宽只有０．１ｎｍ左右,其峰间隔约为０．１８ｎｍ。另外,文中还测量了Ｅｕ＾３＋离子的基态＾７ＦＪ     

稀土离子Eu3+掺杂Y2SiO5晶体的光谱和结构研究

用５１４．５ｎｍ、４８８．０ｎｍ的Ａｒ＾＋激光和４４１．６ｎｍ的Ｈｅ－Ｃｄ激光激发Ｅｕ＾２＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的获得了一系列窄带荧光谱线,其中双重谱线结构源于Ｅｕ３＾＋离子发光中在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位,测得了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５的Ｘ射线多晶衍射谱的面间距数据;计算了晶格常数和晶在角度,通过和非掺杂Ｙ２ＳｉＯ５晶体数据的比较,探讨了Ｅｕ＾２＋和Ｙ２ＳｉＯ５格位的相互影响。     

化学复合镀Ni-P-SiO2镀层的XPS和AES分析

本文运用ＸＥＭ、ＡＥＳ和ＸＰＳ分析了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＯ２镀层的表面形貌及镀层组成。研究显示：Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＯ２镀层表面光滑、均匀、光洁度好;其相对原子百分数为Ｎｉ７４．５６％,Ｐ１２．３８％,Ｓｉ２．７７％,Ｆｅ２．３２％,Ｏ６．６５％,镀层厚度为６．４０ｕｍ,镀层耐１０％ＮａＣｌ溶液和１％Ｈ２Ｓ气体的腐蚀能力较强。     

纳米X_1-Y_2SiO_5∶Eu的制备与格位选择激发下的光致发光研究

采用溶胶凝胶法制备了纳米微晶Ｘ１Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ，研究了室温和１５Ｋ下的光致发光特性．透射电子显微镜的测量结果表明，样品的平均粒径为５０ｎｍ．通过低温下的格位选择激发，分别得到Ｘ１Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ中两种格位的Ｅｕ３＋离子各自的光致发光光谱，确定了谱峰位置．在格位选择激发下，两种格位的发光衰减均呈很好的单指数关系，５Ｄ０能级的寿命分别为３００和２１８ｍｓ．     

“天光”一号MOPA系统光学元件加工与镀膜的进展

本文阐述了在中国原子能科学研究院“天光一号”ＫｒＦ激光核聚变实验装置上，ＭＯＰＡ系统光学元件加工与镀膜研究工作的进展。实验测量结果表明，加工后的基片表面均方根粗糙度对于Ｋ９光学玻璃与熔融石英玻璃来说分别为σｒｍｓ＝１．８±０．５ｎｍ，σｒｍｓ＝２．０±０．４ｎｍ。镀ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反射膜的光学元件的反射率与破坏阈值分别为Ｒ＞９９．５％，Ｅｔｈ＝１．３０～１．３３Ｊ／ｃｍ２。镀Ａｌ２Ｏ３／ＭｇＦ２增透膜的光学元件的透射率与破坏阈值分别为Ｔ＞９９．５％，Ｅｔｈ＝１．３～１．９７Ｊ／ｃｍ２。     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

约瑟夫森结AlO_x-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯｘＡｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯｘ厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在     

超声冷却SO_2(A~1A_2-X~1A_1)激光诱导荧光激发谱的转动分析

通过改变ＳＯ２／Ａｒ配比，研究了超声膨胀冷却ＳＯ２（Ａ１Ａ２—Ｘ１Ａ１）系统３１５—３３０ｎｍ波段振动分辨的激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱．获得了属于两个完整带系（１，ｍ，１），（０，ｎ，１）—（０，０，０）的高分辨转动结构谱．其中（ν′１，ν′２，ν′３）＝（０，９，１），（０，１０，１），（１，７，１），（１，５，１）带的转动结构，据我们所知是新观测到的．基于非对称陀螺模拟，对８４７条转动谱线进行了归属，得到Ａ态各振动能级的分子常量和离心畸变常量．获得Ａ１Ａ２态近似分子构型参数：ｒ（Ｓ—Ｏ）＝０１６０ｎｍ，∠ＯＳＯ＝１０１６４°．并对各振动态的惯量亏损进行了讨论．     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

Tm^3＋掺杂的MFT玻璃上转换发光及光学增益

报道了一种新型ＭＦＴ（Ｍｕｌｔｉ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ－Ｔｅｌｌｕｒｉｄｅ）玻璃材料（组份为５０ＴｅＯ２－１９．７ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ－０．３Ｔｍ２Ｏ３）的制备方法,测量了６５０ｎｍ激发下Ｔｍ＾３＋离子掺杂在ＭＦＴ玻璃材料中源于＾１Ｄ２→＾３Ｈ６（４７６ｎｍ）跃迁的两组蓝色上转换发光研究了上转换发光强度随激光率的变化关系,并且首次应用ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅ     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

在硅酸盐矿物,玻璃和熔体中Si和Al的配位与局部结构：K—边 …

本文采用步辐射的ＳｉＫ－边Ｘ－射线吸收近边结构（ＸＡＮＥＳ）谱研究了Ｓｉ在ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Ｓｉ的配位几何随玻璃中Ｐ２Ｏ５含量而变化：同步辐射的Ａｌ Ｋ－边ＸＡＮＥＳ谱研究了Ａｌ在铝硅酸盐成分为ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Ａｌ配位的     

高剥离态74W软X射线谱半连续带研究

在星光—Ⅱ激光装置上，用ＰＥＴ平晶谱仪观测了７４Ｗ高离化度激光等离子体软Ｘ射线发射谱，波长范围是０．３６～０．５２ｎｍ。准确测量和辨认了３ｄｊ－ｎｆｊ（ｎ＝５，６）４条类Ｎｉ共振线及附近类Ｃｕ、类Ｚｎ、类Ｇａ和类Ｇｅ几个电离级１６个半连续带结构谱。实验谱波长测量误差小于０．０００５ｎｍ，与用相对论自旋轨道劈裂跃迁组（ＳＯＳＡ）模型（不可分辨跃迁组（ＵＴＡ）特例）和Ｘα法理论计算结果符合很好。首次提迭加峰平均波长与离子离化度间关系式。     

三角形弯晶单色器的分光及聚焦特性研究

北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的４Ｗ１Ｃ光束线用斜切角为１２．１６°的三角形Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（２２０）和Ｓｉ（４２２）晶体在衍射角为２３．６５°时选择０．２５２ｎｍ、０．１５４ｎｍ和０．０８９ｎｍ波长的单色Ｘ光．三角形晶体压弯成柱面，可实现单色光水平方向的聚焦，为漫散射实验站提供聚焦的单色Ｘ光．解析计算和ＳＨＡＤＯＷ软件包进行追踪的结果与实验测试结果符合得很好．     

DISTORTION OF CRYSTAL LATTICE IN NANOCRYSTALLINE Fe_2O_3

ＤＩＳＴＯＲＴＩＯＮＯＦＣＲＹＳＴＡＬＬＡＴＴＩＣＥＩＮＮＡＮＯＣＲＹＳＴＡＬＬＩＮＥＦｅ２Ｏ３ＹｅＸｉｓｈｅｎｇＳｈａＪｉａｎＪｉａｏＺｈｅｎｇｋｕａｎＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＺｈｅｊｉａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＨａｎｇｚｈｏｕ３...     

MSC理论研究固体CS2的实验谱

用近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）的多重用射集团（ＭＳＣ）方法对固体ＣＳ２的硫Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱进行了详细的研究，结果表明：１．确认Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱的主体结构是双σ键和π２．固体ＣＳ２中间时存在的硫的单键和双键和对应的两种吸收谱；３．π几乎全由双键所贡献，而双σ则分别由单键和双键所贡献；４．ＮＥＸＡＦＳ实验谱是两种吸收谱的叠加。     

DEUTERIUM INFLUX PROFILE ALONG THE APEX OF THE UPPER X-POINT TILES IN JET

ＤＥＵＴＥＲＩＵＭＩＮＦＬＵＸＰＲＯＦＩＬＥＡＬＯＮＧＴＨＥＡＰＥＸＯＦＴＨＥＵＰＰＥＲＸ－ＰＯＩＮＴＴＩＬＥＳＩＮＪＥＴ￥Ｙ．Ｋ．Ｚｈｕ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ４３２，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００４１...     

氧化亚氮／乙炔火焰原子吸收与火焰原子发射光谱法测定头发样中铝

本文采用Ｎ２Ｏ／Ｃ２Ｈ２ＦＡＡＳ和ＦＡＥＳ两种方法同时测定正常人头发中的铝，并对测定条件、干扰物质的影响及测定结果进行了比较。实验表明，在酸性介质中，选择３９６．１ｎｍ发射线，不论是物质的干扰程度、还是测定的精确度、灵敏度和回收率，ＦＡＥＳ法均优于ＦＡＡＳ法。其对应的ＲＳＤ（ｎ＝９）分别为２．２和２．７％，检出限分别为０．０７和０．２５μｇ／ｍＬ。在１．０ｇ头发样品中加入２０．０μｇ铝，其回收率分     

超声射流冷却SO2^—A2—^1A1激光诱导荧光激发谱

测得了３１５￣３３０ｎｍ超声射流冷却下ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱，获得了７个有明显Ｋ结构的Ｃ型跃迁的转动子带分辨谱，并将７０个转动子带归属为（１，ｍ，１）－（０，０，０）和（０，ｎ，１）－（０，０，０）（４≤ｍ≤７，８≤ｎ≤１０）的跃迁带系。光谱分析得到ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１跃迁的带源ｖ００、＾１Ａ２态弯曲振动频率ｖ′２，非谐性常数Ｘ２２′分别为（２７９５０±５）、（２     

Ln(Ⅲ)-Ni(Ⅱ)与双水杨醛缩乙二胺席夫碱异核配合物的合成与波谱

合成了双水杨醛缩乙二胺席夫碱（ＳＡＬＥＮ）与镍的配合物Ｎｉ３（ＳＡＬＥＮ）２（ＮＯ３）６·Ｈ２Ｏ及镧系镍的异核配合物Ｌｎ２Ｎｉ３（ＳＡＬＥＮ）６（ＮＯ３）１２·Ｈ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｙ）．以紫外、红外光谱、磁化率，特别是１ＨＮＭＲ及ＥＰＲ波谱等方法研究了它们在组成、结构和配位等方面的异同．ＧｄＮｉＳＡＬＥＮ配合物的ＥＰＲ谱表明其在低温ＴＨＦ中呈“单峰效应”．文中讨论了配合物在不同溶剂中峰宽的相对关系、配合物晶体场强度及Ｇｄ３＋周围局部对称性问题