检驗半导体材料导电类型的几种化学处理法

近些年来,半导体在科学技术中有着广泛的应用,半导体工业获得了飞跃的发展。随着半导体工业的发展,对半导体材料的貭量检驗提出了更高的要求,要求有更多、更方便和更准确的方法來检驗它的貭量。检驗半导体材料貭量的重要任务之一,是检驗它的导电类型的单一性。一般常用探針法来确定半导体材料锗和硅的导电类型。但这些方法具有一定的局限     

高迁移率聚合物半导体材料最新进展

自20世纪80年代以来,聚合物半导体材料及其薄膜场效应晶体管器件(OFETs)已取得系列突破性进展.目前,已有数百种聚合物半导体材料被成功应用于OFETs中,空穴迁移率值最高已达36.3 cm~2·V~(-1)·s~(-1),可与有机小分子半导体材料甚至可同无定形硅相媲美.综述了近年来国内外高迁移率聚合物半导体的最新进展.分类对比总结和评述了空穴传输型(p-型)、电子传输型(n-型)和双极传输型聚合物半导体材料,并对聚合物半导体材料分子设计思路、薄膜OFETs器件制备及其性能参数进行了重点阐述.同时,总结了聚合物半导体材料的分子结构、聚集态结构与OFETs器件性能之间的内在关系,为今后设计与合成综合性能优异的聚合物半导体材料提供一定理论指导.     

相图在研究Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中的应用

半导体是一门边缘技术科学,它的发展有赖于各门基础科学理论,其中包括固体化学的成就。这一点对化合物半导体尤为突出。化合物半导体其中主要是Ⅲ—Ⅴ族化合物及其固溶体合金,近十几年来继锗、硅之后得到了很快的发展,已成为各种尖端技术(如红外、微波、激光、     

有机半导体

一、前言根据物质导电的能力,可以把它們分为三类:即导体(金属)、半导体和絕缘体。三类物质的能带分布如图1所示。从图1可以看出金属与絕緣体和半导体不同,在价电子带(滿带)与导带之間沒有禁带(△E=0),因此价电子都可以参与电流的传导作用。半导体的能谱中則有禁带存在,因此在正常状态下处于滿带中的价电子不能参与电流的传导作用。但是当受到热激活或光激活作用时,滿带中的电子可以被激发至导带,因而具有一定的电导。绝缘体在这方面与半导体并无原则区别,只是禁带宽度較大,换句话说,也就是把电子激发至导带时所需的激活能較大。此外,金属的电导随温度的升高而降低,而半导体的电导則随溫度的升     

制取高純硅的硅烷法

一、硅烷法的优越性高純硅是主要的半导体材料之一。它的提純要比锗困难得多。成功地用于提純锗的区域熔炼,应用于硅上有很大的缺陷。虽然发展起了无坩堝区域熔炼和湿氢去硼技术,迄今仍侧重于化学提純。发展起来了一批化学提純方法。其中許多已用于工业規模或半工业規模生产中。四氯化硅的鋅还原和氢还原、碘化硅的氢还原和热分解以及三氯硅烷的氢还原等方法大多是高温还原过程。产品純度不仅受原料純度的限制,还要受还原剂純度以及从設备結构材料而来的沾污的限制。     

新型锗中心多孔芳香材料的设计合成和表征

采用四(4-溴苯基)锗烷作为基块, 以1,4-苯二硼酸和4,4'-联苯基二硼酸作为桥联, 合成了两种锗中心的多孔芳香材料(Ge-PAFs). 通过FTIR, MAS NMR, TGA, PXRD, SEM, TEM及N2吸附对该化合物的结构及性质进行表征. Ge-PAF-1和Ge-PAF-2具有优良的热稳定性(420 ℃失重5%)及化学稳定性. 另外, 该材料成功地在聚合物中引入锗元素为其在半导体等方面的应用提供了可能^[1].     

用来制造半导体的硅

半导体元素——锗和硅——在新技术的发展上是非常重要的,这就引起了广大读者对这些元素的制取和利用途径方面的兴趣。这些元素的半导体性能因杂质的多寡和杂质的类型而变。杂质的影响极大,10~7—10~8个原子中有一个杂质原子就会增加了半导体的导电率。这就是说,有待科学家研究出半导体元素的有效纯化法以制出高纯度的半导体材料。半导体已经知道的和预期的用途在报章杂志上已经谈得相当详细了,但是关于制取半导     

辉光放电质谱法在高纯材料分析中的应用

高纯材料是现代高新技术发展的基础,在电子、光学和光电子等尖端科学领域发挥着重要作用。采用固体样品直接分析的辉光放电质谱法(GDMS),在高纯金属、高纯半导体材料的痕量和超痕量杂质分析中有着非常广泛的应用。综述了GDMS法对高纯金属、高纯半导体材料进行的元素分析,并对分析过程中工作参数、溅射时间、干扰峰等因素的影响进行了阐述。同时,也详述了应用GDMS法对高纯金属钛、镉,高纯半导体硅,分别进行的痕量杂质元素分析,结果显示放电稳定性良好,典型元素含量的相对标准偏差均在较为理想范围内。GDMS应用前景广泛,未来,GDMS将在除固体样品之外的其他样品类型的分析领域中发挥重要作用。     

新型二维半导体设计研究取得突破

<正>近期,南京理工大学纳米光电材料研究所曾海波团队,在全新二维半导体设计方面取得重要突破,相关成果以"Atomically Thin Arsenene and Antimonene:Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions"为题在线发表于《德国应用化学》(Angew.Chem.In.Ed.,2015,DOI:10.1002/anie.201411246),并被选为"热点文章(Hot Paper)"、期刊封面。该期刊由德国Wiley公司出版,是化学与材料等学科顶尖期刊,影响因子为11.3。第一作者为张胜利博士,曾海波教授为通讯作者。近年来,原子级厚度二维晶体材料,如石墨烯、硅烯和锗烯等,展现出卓越的性能,被广泛应用     

硅酸乙酯

硅酸乙酯是最早被工業生產的有機硅化合物之一。在有機硅化合物中,雖然聚烃基硅氧烷現在亦已廣泛用於工業材料,並在應用上有一部分已代替了硅酯乙酯,但是硅酯乙酯在工業上仍然有重要的價值。這是由於硅酸乙酯和聚烃基硅氧烷在應用上有所區別,它的重要的工業應用在於它在適當條件下能够經過水解縮合而析出有高度粘結性及高度耐熱性(1600℃)的二氧化硅的性質。     

一种联咔唑类双极性蓝色磷光主体材料的合成及性能

以联咔唑作为电子给体,二苯基磷氧基团作为电子受体,设计合成了双极性蓝色磷光主体材料6,6'-二(二苯基磷氧基)-9,9'-二己基-3,3'-联咔唑(DPDBC)。通过紫外-可见(UV-Vis)、荧光、低温磷光、循环伏安法、热重分析(TGA)、差热分析(DSC)和密度泛函理论(DFT)对其性能及轨道能级等进行了研究。结果表明,化合物DPDBC在CH₂Cl₂稀溶液中有两个吸收峰,最大吸收峰位于306 nm;它的荧光发射峰位于420 nm,属于深蓝色荧光;DPDBC的低温磷光光谱的第一发射峰位于447 nm,其三重态能级为2.77 eV,与蓝色磷光客体材料FIrpic (2.62 eV)的能级相匹配;测定其循环伏安特性曲线,计算得到它的HOMO能级为-5.48 eV,与阳极ITO的功函(-4.5~-5.0 eV)相匹配,LUMO能级为-2.36 eV,接近于电子传输材料PBD(-2.82 eV),表明它具有双极性能;TGA显示其分解温度为410℃,表明热稳定性能优良,DSC显示其T_g温度为140℃,表明其具有无定形态结构及良好的成膜性能。因此,DPDBC是一种集双极性传输性能于一体,同时又具有优良热稳定性能的潜在蓝色磷光主体材料。     

光电高分子专辑前言

<正>随着时代的进步,电子产品的更新换代大幅提升了人们的工作效率与生活品质.各类电子元件都和半导体材料有着密不可分的联系,但这些半导体材料均基于硅、锗、砷化镓等无机材料.与无机半导体材料不同,有机/聚合物半导体材料由π共轭单元结构构建而成,具有化学结构与器件性能可控的独特优点,在制备低成本、轻柔、大面积的光电器件时,具有极大的优势.因此,有机半导体材料在有机发光二极管、聚合物太阳电池、有机场效应晶体管     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定煤中的锗

<正>锗是一种具有重要工业价值的稀散金属,广泛应用于很多科技领域,如半导体材料、光纤通讯、红外光学、太阳能电池等[1]。云南是锗储量丰富的地方,锗铅锌矿和褐煤矿中都含有一定量的锗。锗没有独立的矿床,一般存在于共生矿中,由于锗具有亲有机、亲硫的特性,在煤中含量相对较高。为了进行     

有机光探测器专辑 前言

<正>随着人工智能领域的不断发展,光探测技术越来越受到学术界和工业界的关注.目前商业化的光探测器大多是基于无机半导体材料,例如硅、锗以及III-V族化合物半导体.然而,这类无机材料的制造流程复杂且成本高昂,相比之下,有机/聚合物半导体具有吸收可调、可溶液加工、机械柔性以及易于集成至读出电路的优势,     

脉冲加热惰气熔融-红外吸收光谱法测定氮化硅结合碳化硅材料中的氧

<正>氮化硅结合碳化硅材料是在少量添加剂(氧化物)存在下,以碳化硅和硅为原料经高温氮化而成。其具有一系列的优良性能[1-4],如分解温度高达2 500℃、耐高温冰晶石腐蚀、不被有色金属和钢水润湿[2]等。氮化硅结合碳化硅材料广泛应用于有色和冶金等行业,材料中氧量的增加会导致抗腐蚀性能下降[3]。因此,材料中氧量的测定具有重要意义。非氧化物材料由于熔点高,样品需要在高温和     

沸石表面有机金属化学ZSM-5外表面上——Ge(n-C4H9)x基团的接枝及其性质研究

用气体分析及IR,NMR和元素分析等方法研究了真空系统中230℃和280℃下四丁基锗在ZSM-5沸石表面上的接枝反应,并对所得沸石的热稳定性和吸附性质进行了表征,与作者曾报道的硅胶及丝光沸石上的反应类似,四丁基锗也能与ZSM-5沸石表面上的硅羟基发生缩合反应,在其外表面或孔口生成组成为(=Si-O)xGe(n-C4H9)4-x(x=2~3)的表面有机锗化合物,在２３０℃接枝丁基锗基团不影响沸石的结构和表面积,仅改变它的孔口大小,在改性后的沸石上,Ｎ２的吸附性质没有改变,而不同分子尺寸的烃,加正已烷,２-甲基戊烷,２,３-二甲基丁烷却呈现出完全不同于起始ＺＳＭ-５沸石的择形吸附效应.     

密胺树脂-硼酸锌双层包覆微胶囊化氯蜡-70的热稳定性

主要介绍了提高氯蜡-70(CP-70)阻燃剂热稳定性的双层包覆微胶囊化技术。结果表明,采用密胺-硼酸锌双层囊衣包覆能使CP-70的热分解温度从185℃提高到245℃,软化温度从90℃提高到185℃。电子能谱、扫描电镜证实了CP-70已被密胺-硼酸锌包覆。低密度聚乙烯的流变性能测试表明,微胶囊化CP-70可提高材料的加工性能。     

稀土纳米材料在光催化二氧化碳还原中的应用

光催化二氧化碳还原反应(光催化CO₂RR)是将惰性CO₂转化为高价值化学品的最具前景的策略之一。光催化CO₂RR的成功取决于高效催化剂的使用,尽管目前已取得相当的进展,但光催化过程仍面临着光电效应弱和光生载流子易复合等问题,严重制约了CO₂还原的效率。稀土离子具有独特的f电子结构和尤其丰富的电子能级,可作为光生电子的“储存器”并兼具抑制光生载流子复合的功能,因此电子能更有效地用于CO₂RR。镧系金属离子的强亲氧性和高配位需求,使其易于掺杂进其他氧化物半导体的晶格中,不仅能够稳定半导体复合物的晶相,而且能够有效地调控氧空位的浓度,从而实现半导体光催化剂性能调控和优化。此外,镧系金属亦能以原子级分散方式吸附在半导体表面或实现体相掺杂,直接作为活性位点提升光生电子的传递与利用。本文总结和探讨了稀土纳米材料在光催化CO₂RR反应中的不同作用形式,从包括单(纯)稀土半导体材料、负载助催化剂的稀土半导体材料、掺杂稀土半导体材料和稀土半导体-其他半导体的复合材料等四方面...     

新的高溫半导体及其应用

三年以前,当約飞院士在其专著中論述我们对于半导休知識的近况时写道:“在半导体中,有一些材料具有特别高的熔点,超过4000℃,有一些村料具有非常高的硬度,它的热导率超过金属的热导率,但是所有这些半导体的性质没有引起人们的注意,沒有被人研究。实用上的需要一再要求扩大半导体的研究領域——更深入地研究多組份体系、比电阻小的半导体、高温度的和超硬度的材料。”在化学、冶金、动力学及其他与自动化任务相結合的工业部门中,高温过程的发展越来越显著地强調需要制造能可靠地在高温条件下而同时又受腐蚀性介质作用的情况下应用的半导体。在不少情况下,还要能     

为什么Si=Si重键难以形成?

硅是一种在地壳中仅次于氧的丰富元素,它的天然丰度大干它的同族元素碳约一百多倍。在我们周围的世界中,平均每四个原子就有一个是硅,所以硅单质及硅的化合物理应在化学领域中占有重要的地位。事实上单质硅及其化合物具有极其重要的工业价值,在许多现代工业中得到广泛应用。如水泥、陶瓷、玻璃、半导体材料等工业领域,尤其是近年来发展起来的硅珙产品,对现代工业更是有着巨大的贡献。如硅油可作织物、纸张处理剂、打光剂、消泡剂、脱模剂及润滑剂等。硅树脂可作为高级绝缘材料,用于电器及建筑方面,能耐高温、防潮、防水、防锈。硅橡胶具有优异的耐热、耐寒性和耐化学腐蚀的性能,作为性