基于椭偏测试法的氢化非晶硅膜钝化机制

本征非晶硅(a-Si:H)钝化是获得高效非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键技术之一,但由于非晶硅的结构复杂多变,至今仍无法对其结构与性能的关联进行简洁的线性表征。本研究采用Sinton设备,测试不同工艺制备的双面a-Si:H薄膜钝化的N型单晶硅片的少子寿命,表征a-Si:H对硅片表面的钝化效果,采用椭圆偏振光谱仪测试拟合a-Si:H薄膜的折射率、消光系数、光学带隙等参数,分析它们与钝化效果的关联。发现:介电函数虚部ε_2的峰值和薄膜禁带宽度大致呈现线性关系,高频折射率n_∞与钝化后少子寿命呈线性关系。因介电函数由材料的能带结构、态密度等结构因素决定,所以ε_2峰值与n_∞这两个参数有望为非晶硅结构与钝化效果的理解提供新的表征思路,指导工艺的优化改进。     

近距离升华制备大晶粒CdTe掺Sb薄膜的结构性能研究

采用近距离升华(Co lse-Spaced-Sub lim ation,CSS)技术制备纯CdT e薄膜.然后通过离子注入的方法对纯CdT e薄膜进行Sb(锑)掺杂及热处理,并利用XRD、SEM、紫外可见分光光度计及H a ll测试系统研究其结构,表面形貌和光电性能.结果表明,通过离子注入的方法在纯CdT e薄膜上掺杂Sb离子可以改善CdT e薄膜的结晶性能、并且明显提高了其电导特性,掺杂对CdT e薄膜的光能隙影响不大.     

氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的设计和制备

本文详细介绍了氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的结构设计,并用射频辉光放电淀积法制备了a-SiC:H/a-Si:H异质结p-i-n结构非晶硅薄膜紫外线探测器,测量了器件的暗电流和光谱响应特性。在200—400nm紫外波段器件灵敏度接近于晶体GaAsP紫外线探测器,器件光谱响应峰值波长为430nm。     

电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响

采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3 (LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA).用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构.再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用 RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱.分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响.     

不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究

在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性.且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究.     

循环伏安法沉积石墨基PbO_2电极及其超级电容器应用

在Pb(NO3)2和HNO3的混合电镀液中,采用循环伏安法在石墨板基底上沉积PbO2薄膜电极,利用SEM、XRD等方法研究了二氧化铅电极的表面形貌和晶型。用实验所制备的PbO2薄膜电极作正极,活性碳电极作为负极,1.28 g.cm-3H2SO4溶液作电解液组装成混合超级电容器。在0.8~1.86 V的充放电位     

Littlewood-Paley函数在各向异性Musielak-Orlicz型弱Hardy空间上的有界性（英文）

设A是一个扩张矩阵,p∈(0,1]及?:Rn×[0,∞)→[0,∞)是一个各向异性p-增长函数.本文通过主极大函数定义了各向异性Musielak-Orlicz型弱Hardy空间H?,∞A(Rn),并用此空间上的原子分解证明了各向异性LittlewoodPaley Lusin-area函数,各向异性g-函数及各向异性g*λ-函数从H?,∞A(Rn)到弱Musielak-Orlicz-型空间上的有界性.我们指出在g*λ-函数关于空间H?,∞A(Rn)有界性的结论中,参数λ的范围与H?,∞A(Rn)被下述空间所替代时λ的最佳范围仍保持一致,即,被经典Hardy空间或其加权形式,Musielak-Orlicz Hardy空间或各向异性Musielak-Orlicz Hardy空间所替代.     

脉冲激光沉积法制备La0.5Sr0.5CoO3薄膜及其结构和表面特性

利用脉冲激光沉积法在(001)取向的LaAlO3(LAO)衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的外延生长．主要研究了衬底温度(Ts)，激光能量(E1)和氧气压强(Po2)对薄膜结构和表面形貌的影响．X射线衍射结果显示在Ts=700—850℃的范围内沉积的LSCO薄膜都具有c轴取向．从扫描电子显微镜和原子力显微镜照片可以看出上述3个沉积参数中，氧压对LSCO薄膜表面形貌的影响最为显著，较低氧压下沉积的薄膜具有较光滑的表面．通过实验，确立了能够制备同时具有c轴取向和光滑表面的薄膜的最佳沉积参数范围．     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性.然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃.用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能.结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向.PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响.     

Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的结构与形貌分析

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在S_1,Au,Pt和Ti基片上沉积制备Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)铁电薄膜,对不同基片沉积的BTO薄膜,以及不同退火温度下的薄膜的相结构、成分及形貌进行了分析。结果表明,BTO薄膜的结构与退火温度和沉积基片有关,不同基片上钙钛矿结构形成的温度按T_t相似文献   

AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究

采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO₂薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO₂钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法.     

含硅二烃基锡(Ⅳ)单羧酸配合物的合成与结构表征

含硅二烃基锡氧化物与相应的取代苯甲酸以1:1的物质量的比进行反应,合成了5个新的含硅二烃基锡单羧酸配合物.通过IR、1HNMR、13C NMR和元素分析对它们的结构进行了表征.生物活性测定的初步结果表明,目标化合物[( Me3SiCH2)2SnOCOC6H4CH3-p]2对肺癌细胞A549和肠癌细胞SW480有较好的体外抑制活性.     

加氢组分对铜基催化剂CO2加氢直接合成二甲醚性能的影响

以不同加氢组分对CO2加氢合成二甲醚性能的影响为对象,采用XRD、BET、TEM、TPR和TPD对催化剂性质进行了表征.研究结果表明,Cu/HZSM-5催化剂中添加Zn或Mn均能有效提高催化剂的CO2加氢转化活性;同时添加Zn和Mn的Cu-Zn-Mn/HZSM-5催化剂,CO2加氢合成二甲醚性能最好,CO2转化率18.78%,DME选择性46.22%.其中,Mn存在有利于催化剂加氢活性组分的分散,并增加对CO2的吸附能力;Zn的存在则增强了催化剂对H2的吸附活化能力,Zn和Mn同时存在产生的协同作用使催化剂具有很好的CO2加氢合成二甲醚的活性.     

中心回线瞬变电磁测深全区视纵向电导解释方法

从“薄板理论”出发，利用良导薄板上磁偶极子源激发的瞬变电磁场电场分量的表达式和互换原理推导出了中心回线瞬变电磁测深法的感应电动势与纵向电导和深度的关系表达式。通过利用感应电动势及其一阶导数表达式作简单数学推导，给出了全区视纵向电导与视深度的反演算法。所求取的视纵向电导曲线不受过渡区影响和其本身固有的特点：曲线斜率大小与电导率成正比；斜率发生变化的位置对应于电性界面；对比一条剖面上相邻的曲线形态，可以连续追踪同一地层界线，形成地电断面。利用这些特征，可获得较高质量的中心回线瞬变电磁测深电性剖面。为了验证视纵向电导解释法的有效性，采用了典型的3层H型和4层HK型地电模型的正演数据方法进行检验。试验结果表明，全区视纵向电导曲线能较好地划分电性层，并能指示电性变化关系。最后，给出视纵向电导解释方法的应用实例，通过全区视纵向电导反演计算，绘制的视纵向电导剖面具有良好的分层性，与同一剖面的反演电阻率剖面有较好的一致性，说明全区视纵向电导解释方法简单易行且有效。     

扩散硅压力变送器的曲面拟合补偿

为解决扩散硅压力传感器因非线性特性及易受温度影响从而导致其测量精度降低这一问题,提出了基于最小二乘曲面拟合的补偿方案。建立了传感器的被测压力、工作温度和输出电压间的曲面拟合数学模型,在获得传感器的输出电压和工作温度后能简便地计算出被测点的压力值。实验表明,该     

离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束（ICB）法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1：1,成膜质量好.     

缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响

采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜.分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光.     

镍在酸性介质中的阳极钝化研究

在镍与镍合金的电镀生产中,镍的阳极钝化能阻滞它的正常溶解,应设法避免.但在镍的阴极电积过程中,镍表面钝化膜则有利于提高镀层的结合力,因而需将镍基体在镀前作阳极电解预处理.所以,研究镍的阳极纯化行为有其实际意义.对镍的阳极钝化虽曾有不少研究,但关于钝化膜的组成与钝化机理仍未完全清楚.本文用动电位扫描法测定了镍在硫酸介质中的钝化曲线,以及酸度、温度、阴离子等对纯化曲线的影响.从纯化曲线得到了在实验条件下致纯电位值和钝化区的电位范围;推测了在不同电位时产生的钝化膜的组成;以及在一定电位内镍溶解的动力学规律.本文用成相膜理论解释了实验结果,探讨了钝化机理,并为控制钝化过程提供了实验依据.     

含硅混合烃基卤化锡的合成与结构表征及生物活性

合成了7个含硅烃基卤化锡。通过元素分析、IR、^1H NMR和^13C NMR测定了这些化合物的结构。生物活性试验的初步结果显示，4个含硅二烃基二卤化锡对宫颈癌（Hela）和肺癌（SPC-A-1）的癌细胞具有较好的体外抗癌活性，3个三烃基卤化锡具有良好的杀菌和杀螨活性。     

基于多尺度特征提取网络的图像美学量化评分方法

提出了一种基于多尺度特征提取网络的图像美学客观量化评分方法，该模型主要由多个多尺度特征提取单元级联组成，每个单元包含由3个不同卷积核组成的特征提取层、融合层和映射层。特征提取层通过联合图像的全局视图和局部视图组成网络输入端，在输出端以EMD函数为损失函数，输出分布为1~10分的概率密度质量函数，并以分布均值作为图像美学量化值。实验证明，本文方法具有可行性和有效性，解决了传统方法只进行美感二进制等级分类的问题，给出了（模拟人类思维对）图像的客观量化评分；同时在AVA数据集上获得了优于几种主流算法的分类准确度。