铁氧体的微波性质和应用

铁氧体是目前许多尖端科学技术(例如电子计算机、自动控制和远程控制,雷达等)和各种电气通讯中应用非常广泛的一种半导体磁性材料。关于它的一般物理性质制备方法和在高频无线电电子学领域中的应用已在本期“铁氧体”一文中加以介绍;另外,铁氧体在电子计算机中的应用也在本期“记忆元件”一文中介绍过了。本文只着重介绍铁氧体的微波性质及其在微波技术领域中的一些应用。     

一个新兴的近代光学分支——集成光学

集成光学是六十年代末期,在集成电子学和激光技术的基础上发展起来的一门新兴学科,是一门与光学、电子学和固体物理有关的交叉学科.集成光学主要是研究有关集成光路的理论、制造和应用.集成光路就是采用类似半导体集成电路那样的技术把一些光学元件(如激光器、光波导、耦合器、     

半导体微波低噪声放大

一、引言第二次大战期間,采用半导体微波二极管混頻在解决雷达接收机的灵敏度問題上有极显著的成果。而战后十余年来,半导体器件在微波方面的应用有了很快的发展。半导体微波放大,微波振蕩,微波开关,微波調制及倍頻等各方面都在高速发展。在微波低噪声放大方面,由于变容二极管参量放大、隧道二极管負阻放大等方面的进展,更使半导体在微波电子学中占据日趋重要     

稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁

稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件．尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展．室温铁磁半导体材料的制备，半导体材料中有效的自旋注入，以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题．稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础．     

《量子电子学》

量子电子学早在五十年代初就发展起来,但当时只限于研究微波量子放大器及有关的各种磁共振现象和微波的量子过程。六十年代初随着激光器的问世,赋予量子电子学以崭新的内容,从而成为光学和电子学相互渗透的边缘学科,是现代科学技术中较为活跃的领域之一。量子电子学涉及了激光的产生与传播;激光的特性如相干性、统计性等以及激光辐射与物质的相互作用等。它的发展已对物理学、化学、生物学和医学等学科起了重大的促进作用,从而派生出若干新的学科分支如非线性光学、激光光谱学、量子光     

会议消息

第8次国际量子电子学讨论会 会议计划于1974年6月10—13日在美国旧金山举行。讨论的题目有:量子电子学的新物理学;新的激光和光学器件;与激光有关的物理学和化学问题;极强辐射与物质的相互作用;高能量与高功率激光的物理学问题;紫外激光器与射线激光器;可调激光器与激光光谱;新的光学材料;非线性光学与光谱学;激光引起的化学反应、同位素分     

自旋电子学和计算机硬件产业

1988年发现的巨磁电阻(GMR)效应,是基于自旋的新电子学的开始.文章介绍观察效应的物理基础,以及这些效应和材料在信息存储上的应用.GMR硬盘(HDD)已经形成了数十亿美元的工业;其后发现的室温隧道磁电阻(TMR)效应已用于制造新的磁随机存储器(MRAM),它正在开创另一个数十亿美元的工业.自旋电子学研究的物理对象是自旋向上和自旋向下的载流子,而传统半导体电子学的对象是电荷为正和电荷为负的载流子,即空穴和电子.电子自旋特性进入半导体电子学,为新的器件创造了机会.为了成功地将电子自旋结合到半导体微电子技术中去,需要解决磁性原子自旋极化状态的控制,以及自旋极化载流子电流的有效注入、传输、控制、操纵和检测.评述了基于电子自旋的新器件原理、新材料的探索以及自旋相干态的光学操纵.     

第12届全国凝聚态光学性质学术会议OPCM′2004

第 1 2届全国凝聚态光学性质学术会议拟于 2 0 0 4年 8月在新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市召开。本会由中国物理学会凝聚态光学专业委员会主办 ,中国科学院上海技术物理研究所和复旦大学联合承办 ,中国科学院新疆现代技术研究所协办。本届会议将遵循本系列会议的一贯宗旨 ,通过大会报告、专题研讨和产品介绍等活动 ,总结、交流我国近年来在凝聚态光学性质及其应用领域中的研究成果和技术进步 ,促进基础性科研和高新技术发展的沟通与结合 ,以推动国际、国内凝聚态光学的进一步发展。征文内容1 .凝聚态光学、光子学和光电子学材料 :半导体、铁电…     

武汉光电国家实验室成功实现目前世界最高Q值的微波光子学滤波器

本刊讯近年来，用光学方法处理微波和毫米波信号引起了广泛关注。相对于传统纯粹电学微波电路，微波光子学滤波器具有很多优点，比如低损耗、宽带宽、抗电磁干扰、可调谐以及重构性比较好等。它可以直接在光域里对微波或者毫米波信号进行处理，能够融合到光纤通讯系统和光学光纤网络中。     

中国工程物理研究院应用电子学研究所

中国工程物理研究院应用电子学研究所是以承担国家高技术863计划激光与高功率微波技术研究任务为主的高技术研究所。自六十年代末创建以来,形成了电测技术研究及专用仪器研制、高功率脉冲技术研究、特种电真空器件研制、微电子技术研究、辐射效应与加固技术研究、计算机技术应用研究、无线电计量研究等多学科的科研体系。进入二十一世纪,为了适应新时期高科技发展的需要,对科研生产组织结构进行了重大的调整,形成了以激光总体技术研究、半导体激光研究、自由电子激光研究、微波与应用技术研究、大型激光工程技术、高精度大型光学检测与诊断…     

过渡金属掺杂的扶手椅型氮化硼纳米带的磁电子学特性及力-磁耦合效应

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了多种过渡金属(TM)掺杂扶手椅型氮化硼纳米带(ABNNR-TM)的结构特点、磁电子特性及力-磁耦合效应.计算的结合能及分子动力学模拟表明ABNNRTM的几何结构是较稳定的,同时发现对于不同的TM掺杂,ABNNRs能表现出丰富的磁电子学特性,可以是双极化磁性半导体、一般磁性半导体、无磁半导体或无磁金属.双极化磁性半导体是一种重要的稀磁半导体材料,它在巨磁阻器件和自旋整流器件上有重要的应用.此外,力-磁偶合效应研究表明:ABNNR-TM的磁电子学特性对应力作用十分敏感,能实现无磁金属、无磁半导体、磁金属、磁半导体、双极化磁性半导体、半金属等之间的相变.特别是呈现的宽带隙半金属对于发展自旋电子器件有重要意义.这些结果表明:可以通过力学方法来调控ABNNR-TM的磁电子学特性.     

《光机电信息》征稿启事

本刊由中国光学学会、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所主办,科学出版社出版。本刊征集光学和应用光学、激光和光电子学、微纳科技和精密工程、材料科学、电磁学和电子学、仪器仪表、信息科学和技术等几大领域如下形式的文章:     

《光机电信息》征稿启事

本刊由中国光学学会、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所主办,科学出版社出版。本刊征集光学和应用光学、激光和光电子学、微纳科技和精密工程、材料科学、电磁学和电子学、仪器仪表、信息科学和技术等几大领域如下形式的文章:1.研     

用于原子-光耦合系统的光学锁相环的设计

光学锁相环(OPLL)是电子学锁相环在光学领域的拓展,它是基于光电探测器、鉴相器以及配套的电路,通过反馈回路控制半导体激光器的电流模块和压电陶瓷扫描模块,以达到锁定两束激光的频率和相位的目的。介绍了光学锁相环的结构、鉴频鉴相器(PFD)的工作原理,并基于锁相环路芯片ADF41020设计了一种光学锁相电路,设计锁定两束激光的频率差的范围为4GHz-18GHz。     

自旋电子学和计算机硬件产业

1988年发现巨磁电阻（GMR）效应，是基于自旋的新电子学的开始。文章介绍观察效应的物理基础，以及这些效应和材料在信息存储上的应用。GMR硬盘（HDD）已经形成了数十亿美元的工业；其后发现的室温隧道磁电阻（TMR）效应已用于制造新关磁随机存储器（MRAM），它正在开创另一个数十亿美元的工业。自旋电子学研究的物理对象是自旋向上和自旋向下的载流子，而传统半导体电子学的对象是电荷为正和电荷为负的载流子，即空穴和电子。电子自旋特性进入半导体电子学，为新的器件创造了机会。为了成功地将电子自旋结合到半导体微电子技术中去，需要解决磁性原子自旋极化状态的控制，以及自旋极化载流子电流的有效注入、传输、控制、操纵和检测。评述了基于电子自旋的新器件原理、新材料的探索以及自旋相干态的光学操纵。     

二维半导体微纳光腔中光与物质的耦合

二维半导体具有独特的二维材料属性、新奇的谷电子能带结构和丰富的调控自由度,为凝聚态物理、光学等领域的研究带来了机遇。然而,这些研究依然存在许多根本问题,例如光的利用效率低、量子特性易受环境扰动等。将二维半导体和精密微纳光腔进行耦合不仅为这些问题的解决提供了合适的方案,还展现了前所未有的新颖光学效应,从而为二维半导体的基础物理研究和光电应用开拓了新的研究方向。对近10年来微纳光腔中二维半导体中的光与物质耦合的研究进展进行梳理,重点讨论了二维半导体的光学特性,以及二维半导体与微纳光腔的不同耦合区域的研究进展、调控机制及其在纳米激光光源、谷电子学、量子光学等方面的潜在应用,并对未来的发展方向和机遇进行展望。     

《光机电信息》征稿启事

本刊由中国光学学会、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所主办,科学出版社出版。本刊征集光学和应用光学、激光和光电子学、微纳科技和精密工程、材料科学、电磁学和电子学、仪器仪表、信息科学和技术等几大领域如下形式的文章:1.研究信息快报     

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<正>本刊由中国光学学会、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所主办,科学出版社出版。本刊征集光学和应用光学、光电子学和激光、微纳科技、材料科学、电磁学和电子学、机械、信息科学和技术等几大领域如下形式的文章:     

纳米电子学的最新进展

文章介绍了纳米电子学在自组织生长、器件构造和电学／光学器件应用等方面的最新进展，其中包括：利用流体或极性分子实现了纳米线／管的定向排列；用此方法制成了纳米线逻辑电路和新型纳米线／带薄膜晶体管；研制成功可进行高密度信息存储的单分子层面纳米线交叉电路；进行了半导体CdS纳米线电泵激光和碳纳米管电致发光研究．此外，还对自旋电子学的研究进展进行了简要介绍，对纳米电子学的研究与发展方向提出了建议。     

主编介绍

正郝跃教授,中国科学院院士,西安电子科技大学教授,微电子学著名专家。籍贯安徽省,1958年3月生于重庆市,1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1991年获西安交通大学博士学位。他长期从事微电子学与固体电子学的科学研究和人才培养工作,在氮化镓/碳化硅第三代(宽禁带)和超宽禁带半导体材料、微波毫米波固态器件、紫外光电器件、新型微纳米半导体新材料、新结构、新器件与集成电等方面取得了系统的创新成果。成果获得了国家技术发明奖二等1项,国家科技进步奖二等两项;国家级教学成果一等奖1项;2010年获得"何梁何利"科学技术奖,2019年获得了陕西省最高科学技术奖。