非相干耦合屏蔽光伏孤子对

预言了在有外加电场的光伏光折变晶体中存在着稳态非相干耦合的屏蔽光伏空间孤子对.这种孤子对是由偏振态和波长都相同的两束互不相干光耦合而成的.它可被看成是非相干屏蔽孤子对和非相干光伏孤子对的统一形式,当外加电场很强可忽略光伏效应时,它类似于已报 道的屏蔽孤子对,而当外加电场为零时,它相当于闭路条件下的光伏孤子对. 关键词： 光折变效应 空间光孤子 光伏效应     

胶原蛋白分子中电场激发的孤子特性

根据胶原蛋白分子的结构特点，建立了新的胶原蛋白分子模型，得到了更能体现胶原蛋白分 子三维结构的系统哈密顿量，并采用4阶Runge-Kutta算法，对得到的电场作用下胶原蛋白分 子中激发态能量传递的动力学方程进行了数值求解.结果表明电场脉冲可以在胶原蛋白分子 中激发起酰胺键(amide-Ⅰ)振子的孤波，且在孤子产生的同时伴随有声子发射. 关键词： 胶原蛋白 孤子 电场     

基于双光子光折变效应的新型空间孤子对

推导了由线性和二次电光效应共同支持的新型空间孤子对解,采用数值模拟法分析了外加电场对亮-亮、暗-暗和亮-暗空间孤子对强度包络的影响.结果表明:与单一非线性效应所支持的孤子对不同,新型亮-亮孤子对在外加电场为正和为负情况下均可以存在,正的外加电场所支持的孤子对宽度略小于相应的负的外加电场情况;对于新型暗-暗孤子对,由于二次电光效应和线性电光效应的机制不同,导致孤子对存在所对应的外加电场强度限定在较低的某一范围内,随着外加电场强度的加大,孤子对的宽度逐渐减小;对于新型亮-暗孤子对,其亮分量峰值一般略大于暗分量峰值,此孤子对在一定的振幅扰动下,当传输距离大于某特定值后会出现传输的不稳定性.     

具有二阶和三阶非线性一维光子晶体中的耦合模孤子

研究同时具有二阶和三阶非线性的一维光子晶体中的耦合孤子动力学.从Maxwell方程出发,利用多重尺度法,导出了光学整流场与两个基频电场包络的非线性耦合模方程组,给出了耦合模方程组的孤子解.结果表明,由于二阶非线性导致的光学整流场对基频电场有调制作用,使得两个基频电场分量可以呈现为亮孤子亮孤子、暗孤子暗孤子及亮孤子-暗孤子对 当两个基频电场的振动频率趋于光子晶体频带的带边频率时,光学整流场消失     

具有二阶和三阶非线性一维光子晶体中的耦合模孤子

研究同时具有二阶和三阶非线性的一维光子晶体中的耦合孤子动力学. 从Maxwell方程出发,利用多重尺度法,导出了光学整流场与两个基频电场包络的非线性耦合模方程组,给出了耦合模方程组的孤子解. 结果表明,由于二阶非线性导致的光学整流场对基频电场有调制作用,使得两个基频电场分量可以呈现为亮孤子-亮孤子、暗孤子-暗孤子及亮孤子-暗孤子对;当两个基频电场的振动频率趋于光子晶体频带的带边频率时,光学整流场消失.     

加外电场的光伏光折变晶体中的空间孤子波

证明了在加外电场的光伏光折变晶体中存在着明、暗稳态空间孤子波.它源于对外电场的非均匀空间屏蔽和光伏效应.同已报道的稳态光折变空间孤子相比，它具有不同的特性和物理根源.当外电场足够强时，它类似于屏蔽孤子；当外电场为零时，它退化成闭路条件下的光伏孤子. 关键词：     

用非线性薛定谔方程讨论超晶格中畴的运动

用非线性薛定谔方程讨论超晶格畴的形成和漂移,得到具有负微分电导特性的超晶格中畴的波函数是Bloch函数的一个孤子型包络函数,它在外电场作用下做漂移运动. 关键词：     

非相干耦合热电光伏光折变空间孤子对(英文)

基于无偏压光伏光折变晶体,理论研究了热电效应和光伏效应共同作用下的稳态空间孤子对.从非相干耦合波方程出发,推导了热电光伏孤子对的数值解;采用有限差分方法,数值模拟了各类孤子对的强度包络.结果表明:在自散焦光伏光折变晶体中,当正的热电场远大于光伏场时,亮-亮孤子对可以存在;当暗-暗或者灰-灰孤子对存在时,负的热电场可以增强自散焦效应,进而减小孤子的半峰全宽.各类孤子对的半峰全宽可以通过改变热电场的大小而加以操控.此外,非相干耦合热电光伏孤子对可以在一定条件下分别退化成热电孤子对或者光伏孤子对.借助晶体的热电效应,可以使光折变晶体LiNbO3从自散焦转变成自聚焦,从而灵活控制晶体中孤子对的特性.     

双光子光折变介质中非相干耦合亮-暗混合屏蔽孤子族

 根据光波耦合方程及亮-暗孤子对解,对稳态情况下多束互不相干的光束在有外加电场的双光子非光伏光折变晶体中的传播进行分析,给出产生亮-暗双光子光折变屏蔽光伏孤子族需满足的条件。证明有外加电场双光子非光伏光折变晶体中存在非相干耦合亮-暗混合屏蔽孤子族,孤子族由偏振态和波长都相同的多束互不相干的光形成。当外加电场方向和晶体光轴方向相同时,双光子光折变晶体可支持亮孤子族总峰值光强稍大于暗孤子族总峰值光强的的非相干耦合亮-暗混合孤子族,当外加电场方向与晶体光轴方向相反时,双光子光折变晶体可支持亮孤子族总峰值光强稍小于暗孤子族总峰值光强的非相干耦合亮-暗混合孤子族。     

双光子光折变介质中非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对

对有外加电场的双光子光伏光折变晶体中两束偏振方向和波长都相同的互不相干光束的耦合进行研究,给出产生亮-暗双光子光折变屏蔽光伏孤子对需满足的条件.以Cu:KNSBN晶体作为研究对象,选取α=117.3,β=83.79,η=1.5×10-4,σ=104,δ=0.005,r=10时,给出双光子光折变晶体中的非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对2个孤子分量光强的空间分布,证明有外加电场的双光子光伏光折变晶体中存在非相干耦合亮-暗屏蔽光伏孤子对,指出孤子对是由偏振态和波长都相同的两束互不相干光形成的,当外加电场方向和晶体中光伏电场的方向与晶体光轴方向相同时,双光子光折变晶体中可支持亮孤子峰值光强稍大于暗孤子最大光强的非相干耦合亮-暗孤子对,当外加电场方向和晶体中光伏电场的方向与晶体光轴方向相反时,双光子光折变晶体中可支持亮孤子峰值光强稍小于暗孤子最大光强的非相干耦合亮-暗孤子对.     

有机高分子链内的场致激子解离

基于SSH(Su-Schrieffer-Heeger)模型,采用静态及动力学自洽算法模拟了有机高分子链内激子在光激发及外电场作用下的形成与解离过程。结果表明,受光激发后,有机高分子链内激子的生成与解离密切依赖于施加外电场的时机,当外电场与光激发同时发生时,激子能否生成完全取决于电场强度的大小;而当外电场在光激发后的一段时间(通常为皮秒量级)之后被引入,则在有机高分子链内能够形成稳定的激子,且该激子只有在强外电场(超过1MV/cm)的作用下,才会发生解离,临界场强量级与实验结果相符合。     

电场中MgO分子吸附H2的理论研究

研究电场中MgO分子与H2的相互作用是探索MgO材料储氢性能的基础。在B3LYP/6-31G**水平上研究了电场中H2在MgO分子上的吸附行为。结果给出电场中单个H2在Mg/O上的吸附能由无电场时-0.021/-0.099eV提高到场强为0.005a.u.时的-0.037/-0.139 eV。H2吸附在O离子上时,电场效应更显著。电场中MgO分子最多能吸附10个H2,相应的质量密度达33wt%。表明电场诱导MgO材料吸附H2是一种具有潜力的储氢方法。通过电子结构分析讨论了电场中MgO分子储氢的机理。     

电场中MgO分子吸附H_2的理论研究

研究电场中MgO分子与H_2的相互作用是探索MgO材料储氢性能的基础.在B3LYP/6-31G**水平上研究了电场中H2在MgO分子上的吸附行为.结果给出电场中单个H_2在Mg/O上的吸附能由无电场时-0.021/-0.099eV提高到场强为0.005a.u.时的-0.037/-0.139eV.H2吸附在O离子上时,电场效应更显著.电场中MgO分子最多能吸附10个H_2,相应的质量密度达33wt%.表明电场诱导MgO材料吸附H_2是一种具有潜力的储氢方法.通过电子结构分析讨论了电场中MgO分子储氢的机理.     

Optical, electrical, and photophysical properties of films of polycomplexes of azobenzene derivatives with cobalt

The absorption spectra, photoconductivity, and electrical conductivity of films of new polycomplexes of 4-methacyloyloxy-(4′-carboxy-3′-oxy)azobenzene and 4-methacryloyloxy-2-nitro-(4′-carboxy-3′-oxy)azobenzene with cobalt were investigated with switched-off and switched-on external electric fields. The effect of an external electric field on the transmission of linearly polarized light through films near the long-wavelength absorption edge is revealed. It is shown that the change in the light transmission under the action of an external electric field is due to the spatial reorientation of the dipole moments of azobenzene groups photoinduced by polarized light in an external electric field. The effect of an electric field on the light transmission is explained by the formation of forces acting on the dipole moments of azobenzene groups and on metal ions. The increase in the dipole moments of azobenzene groups as a result of introduction of nitro groups into their composition decreases the effect of cobalt ions on the electro-optical properties of polycomplex films.     

硼球烯B_(40)在外电场下的基态性质和光谱特性

以6-31G*为基组,采用密度泛函PBE0方法研究了不同外电场(0—0.060 a.u.)对硼球烯B_(40)的基态几何结构、电荷分布、能量、电偶极矩、能隙、红外及拉曼光谱特性的影响;继而采用含时的TD-PBE0方法研究了硼球烯B_(40)在外电场下的电子光谱.研究结果表明:外电场的加入导致分子对称性降低,当电场从0 a.u.变化到0.060 a.u.时,偶极矩逐渐增加,体系总能量和能隙一直减小;外电场的加入将改变红外和拉曼光谱特征,如谐振频率的移动以及红外和拉曼峰的增强或减弱;外电场对硼球烯B_(40)的电子光谱影响较大,当电场从0 a.u.变化到0.060 a.u.时,电子光谱发生红移,同时对振子强度有很大影响,原来振子强度最强的激发态变弱或成为禁阻跃迁,而原来振子强度很弱或禁阻的激发态变得最强.可以通过改变外电场来改变B_(40)的基态性质,以及控制B_(40)的光谱特性.     

外电场下二氧化硫的分子结构及其特性

以6-311++g(3d, p)为基组, 采用B3P86方法研究了不同外电场(-0.04-0.04 a.u.)对SO₂分子基态的几何参数、电荷分布、能量、电偶极距、最高占据轨道(HOMO)能级、最低占据轨道(LUMO)能级及能隙的影响, 在优化构型的基础上, 采用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SO₂分子在外电场作用下前9个激发态的激发能、跃迁波长和振子强度. 研究表明: SO₂的几何参数与电场强度大小及方向均有明显的依赖关系. 电场由-0.04 a.u. 变化至0.04 a.u.时, 体系的总能量先增加后减小; 偶极矩先减小后增加; HOMO能级一直减小; LUMO能级先增加后减小; 能隙先增加后减小. 激发态的激发能、跃迁波长和振子强度与电场关联均较为复杂, 说明SO₂的激发特性易受外电场影响.     

Optical activity of microemulsion induced by electric field and its tunable behaviors

It has been shown that optical activity can occur in microemulsion under external electric field and rotation angle can also be tuned by the electric field. A set of microemulsions (water/Span80/transformer oil) with different water concentration were prepared and their optical activity was measured with the changes of applied electric field and θ, the angle between the electric vector of the incident linearly polarized light and the external electric field, using an automatic polarimeter. The experiments indicate that when none of the external electric field, water concentration and θ are zero, there is optical activity in microemulsions. For a given concentration, rotation angle ψ increases with electric field, and it firstly increases, passes through a maximum at C = C0,then monotonically decreases as C increases when electric field keeps constant. The relationship between the rotation angle and θ is also obtained. It is thought that the electric field-induced destroy of spatial symmetry of microemulsion is responsible for the optical activity of microemulsion.     

电场中LiF分子吸附H_2的理论研究

采用密度泛函理论方法研究了电场中H_2在LiF分子上的吸附行为.结果表明,无电场时,H_2能在Li与F原子上形成弱的物理吸附.外加电场可显著提高其吸附强度, H_2在Li/F上的吸附能由无电场时的-0.112/-0.122eV提高到场强为0.005 a. u.时的-0.122/-0.171 eV, H_2吸附在F上时更稳定.利用分子中的原子量子理论(QTAIM)方法研究了电场增强吸附的机理,表明电场促进了H_2与LiF间的电荷转移,同时使LiF及H_2极化,增强了其间的静电作用,从而提高了吸附强度.电场中LiF最多能吸附10个H_2,相应的质量密度达43.5 wt%.表明电场诱导LiF材料吸附H_2是一种具有潜力的储氢方法.     

SUPPRESSION OF BALLISTIC ELECTRON TRANSMISSION THROUGH A SEMICONDUCTOR Π-STRUCTURE BY AN EXTERNAL TRANSVERSE ELECTRIC FIELD

We have conducted numerical studies of ballistic electron transport in a semicon-ductor II-structure when an external transverse electric field is applied. The device conductance as a function of electron energy and the strength of the transverse electric field is calculated on the basis of tight-binding Green's function formalism. The calculations show that a relatively weak electric field can induce very large decrease in the electron transmission across the structure. When the transverse electric field is sufficiently strong, electrons can hardly be transported through the device. Thus the performance of the device can be greatly improved for it is much easier to control electron transport through the device with an external transverse electric field.     

Electric field effects on tunnel magnetoresistance in FM–organic molecule–FM junction

The electronic properties of an organic molecule under external electric field are investigated based on a single band tight-binding model Hamiltonian and the Green's function approach with the Landauer–Büttiker formalism. These properties are studied for a chain of benzene rings (oligophenylene). A self-consistent calculation is adopted to analyze the external electric field effects on the electronic properties of system. It is shown that variation in electron density and HOMO–LUMO gap of the junction are direction depended on the external electric field strength. Our results show that in the presence of external electric field the transmission, current and tunnel magnetoresistance (TMR) decrease, the negative differential resistance occurs.