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半导体制冷是通过空穴和电子在运动中直接传递热量的固体致冷方式.本文通过半导体致冷型恒温量热器和半导体热电特性实验为例,说明在物理实验中应用半导体制冷技术的设计思路及优势. 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(5)
TN248 2005053347 半导体致冷复合相变硅镜光照热有限元模拟=Finite ele- ment simulating about laser radiation of semiconductor- cooled composite phase change silicon mirrot[刊,中]/刘倚 红(华中科技大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉 (430074)),余文峰…∥激光技术.-2005,29(1).-9-10,17 为克服高能激光用相变致冷镜两次出光时间间隔长 的缺点,设计了一种新型半导体致冷复合相变硅镜,并采 用ANSYS有限元程度模拟了实心硅镜、相变镜和半导体 致冷镜的光照热行为。由最大温度-时间曲线可知,在净 吸收热量为100W、环境温度为20℃,制冷量为25W时, 半导体致冷复合相变硅镜只需5s就可使镜体的温度和弹 性变形恢复至初始形态。图3表1参4(杨妹清) 相似文献
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将任意循环过程的效率η和致冷系数ε,分别与工作在它所经历的最高与最低热源温度之间的可逆卡诺循环的效率ηc和致冷系数εc比较后可知:尽管对致冷机有与卡诺定理相应的结论,但由热机η得到的其他结论,对致冷机ε却不能相应地成立.虽然ηc是一切热机η的上限,但εc却是可逆致冷机ε的下限,且εc既非不可逆致冷机ε的上限,又非它的下限. 相似文献
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计算了Delpuech和Lacaze等的致冷机(以下简称为D-L致冷机)的致冷功率(作为频率和磁化场的函数),结果与D-L致冷机的实验相符.按照本文提出的方法计算了膜沸腾产生所对应的频率,在四个不同的磁化场条件下所得结果与实验符合较好.进而计算了循环过程的S-T图以及致冷效率.所有计算结果表明,我们将具体问题模型化的手段是合理的.运用这些手段,讨论了采用圆筒式磁元件及采用烧结钆镓石榴石工质的可行性. 相似文献
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CCD致冷技术在小型光谱仪降噪中的应用 总被引:5,自引:1,他引:4
与传统光谱仪相比,小型光谱仪在性能上存在着较大的差距,光度准确度较差、信噪比低等问题限制了其在弱光检测中的应用。分析小型光谱仪的噪声来源及其抑制方法,结合CCD设计了其致冷结构,并采用半导体致冷技术对自行设计的小型光谱仪进行了降噪处理。测量了不同温度下CCD的暗电流,发现致冷对CCD噪声起到很好的抑制作用;在此基础上,参照分光光度计的国家机械行业标准和计量检定规程,测量了致冷条件下小型光谱仪的光度噪声和基线平直度。结果表明:致冷能有效地提高仪器的性能,实验用小型光谱仪的光度噪声为±0.002Abs,基线平直度为±0.004Abs。 相似文献
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蓝光或紫外激光在光电子学和光储存方面有广阔的应用,一直是国际上关注的前沿领域.而金刚石是最好的半导体紫外发光材料.特别是用于高温、高压、高功率、强辐射和强腐蚀环境中更能显示其优越性.目前人们已在实验上用同质外延、异质外延的方法制备了金刚石紫外发光二极管,观察到了较强的紫外光发射.人们尝试用金刚石与其他半导体材料结合的方法,成功地研制出了金刚石紫外发光二极管,开拓了该研究领域最新研究方向.文章对这些金刚石紫外发光器件研究的最新进展进行了评述. 相似文献
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霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一.通过测量可判断半导体材料的类型,并得到材料的一些重要参数,例如载流子浓度和运尔迁移率等等.在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品.随着半导体技术的发展,用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料.我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb(锑化铝)薄膜材料,测量了它们的合尔系数和电阻率,并求出其载流于浓度和霍尔迁移率.可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多.实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值,… 相似文献
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