二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。     

一代树状碳硅烷液晶研究－端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅 烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、 偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与 M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为：K82N133I132N67K，D1熔点 比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相区比M5加宽39－54℃， 观察到8条黑刷的树状物的高强向错（S＝＋2），D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相 变清亮焓值，原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.     

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.     

端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究

用发散法合成以四碳硅烷为核心,周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征.D3为向列相液晶,与M3相同,三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定.D3的液晶态相行为是K79N136I132N,D3的熔点比M3的低19℃,D3的清亮点比M3的增加16℃,D3液晶态温区比M3宽35℃.     

端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成

用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、DSC和WAXD对产物进行表征.结果表明,D1为向列相,与M3相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1的液晶态相行为:K92N126I124N78K,D1熔点比M3降低了24～30℃,D1清亮点比M3提高了6～8℃,D1液晶态温区比M3加宽30～38℃,在树状物中观察到S=+2的高强向错.     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究

合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较.     

一代碳硅烷树枝状大分子钯配合物的液晶性

合成了新的周边含12个4-硝基偶氮苯端基一代碳硅烷树枝状大分子的钯(II)配合物(G1Pd), 并用元素分析、核磁共振氢谱、碳谱、红外、紫外-可见光谱、能量色散X射线分析(EDXRA)、偏光显微镜、差示扫描量热法和广角X射线衍射法对其结构和液晶性质进行了表征. 配合物G1Pd的相行为是K122ch189I166ch90K. 给出一种具有新的结构特点的液晶性树枝状大分子, 它兼有配位金属和介晶基元. 在液晶和液晶高分子界观察到首例胆甾相的高强向错和首例树枝状大分子配合物的高强向错现象.     

端基含36个4-硝基偶氮苯介晶基元的二代树状碳硅烷的液晶性研究

液晶树状物的液晶相态分别为SA相、SC相、SC^*相、向列相、胆甾相、盘状相、立方相和群聚向列相,而SE相液晶树状物尚未见报道,本文报道含吸电性端基(硝基)偶氮苯介晶基元二代树状物(D2)的液晶行为。     

端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究

研究了新化合物含4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代(D0)光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反-顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数．D0的光致变色反应速率常数为10^-1s^-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^-8s^-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快10^7倍．     

无机-有机杂化树枝状香蕉形液晶化合物的合成与表征

利用硅氢加成反应制备得到8个香蕉形液晶基元尾接于六面体倍半硅氧烷的8个顶点之上的杂化树枝状香蕉形液晶化合物.此化合物的化学结构通过核磁、红外、元素分析和GPC表征.一维和二维X-射线衍射研究表明,该化合物具有两个双层近晶C相;对样品施加三角波电压后显示该化合物具有反铁电性.