通过单电子泵实现对单电子运动的控制及其相图分析

介绍了单电子泵的工作原理，讨论了如何利用库仑阻塞和单电子隧穿实现对单电子泵中单个电子运动的控制，从而给出它的相图，并由此得到了单电子泵的一个重要用途，即控制微小电流.指出栅极可能引入的随机电荷对单电子泵的应用并无影响. 关键词： 单电子泵 库仑阻塞 相图     

激光等离子体相互作用的局域振荡电子加热机制

 用2.5维粒子模拟程序模拟了超强激光与等离子体的相互作用过程，发现超强激光可以通过J×B加热机制加速电子并引起电荷分离，从而产生很强的静电场并形成电场势阱，电子在静电场势阱中振荡，被多次加速，使得高速电子被甩出势阱，进而增强电荷分离，然后静电场结构被破坏，静电势能传给电子。在此过程中，电子在此阱中作局域振荡，并且被J×B机制多次加速，激光的能量会有效地传给电子，使电子能量高达10MeV。这是一种新的电子加热机制，称之为局域振荡电子加热机制。     

紧聚焦的超短超强激光脉冲在真空中加速斜入射的相对论电子

研究了紧聚焦的线偏振飞秒超强高斯激光脉冲俘获并剧烈加速斜入射低能相对论电子的效应 ，发现被俘获的电子在激光脉冲纵向有质动力的强大加速作用下，可以获得GeV量级的能量 ，并详细研究了入射电子的初能量、斜入射角、电子与激光脉冲的相对延迟时间和激光脉冲 宽度等条件对电子能量增益的影响，发现当激光脉宽超过10λ时，脉宽对电子能量增益影响 不大. 关键词： 电子加速 有质动力 能量增益 束腰     

新型电子全息术及其进展

电子全息术区别于传统电子显微术的最主要的特点是充分利用了电子波的相位信息，通过记录和电子波波前来探测微观世界，全息的概念为电子显微工作者开拓了新的视野，介绍了最近几年新发展起来的反息术、光电子全息术、低能电子全息术等，概述了它们的原理和应用，分析了各自的优点，与透射电子全息术作了比较，并结合实验结果加以说明。     

纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算

基于快电子的逃逸击穿机理将是一种能解释纳秒脉冲高过电压倍数下气体放电现象的理论，对高能量快电子的逃逸运动、碰撞电离引导电子崩的发展等进行了分析，并根据电子能量与阻力关系式，对电子的俘获或逃逸过程进行了计算.结果表明外加场强越高，更多的电子能逃逸，逃逸的能量阈值越低，气压对电子的逃逸过程影响也较大.同时也定性描述了纳秒脉冲下逃逸击穿放电过程. 关键词： 气体放电 快电子 逃逸击穿 纳秒脉冲     

HIRFL－CSR电子冷却装置上的横向电子束温度

从磁场中单电子的轨道运动方程出发，分析并推出了ＨＩＲＦＬ－ＣＳＲ电子冷却装置上的横向电子束温度，并得到了一些重要结论．     

关于用磁控管法测电子荷质比实验的理论研究

本文概述了用磁控管法测电子荷质比的实验，并对此进行了理论研究．作者在考虑空间电荷效应的情形下，导出了ｒｋ→０时的静态圆柱形磁控管内电子运动轨迹的心状线方程，并由此导出了临界条件及测算电子荷质比的公式，所得结果对物理实验和超高频无线电电子学有参考价值．     

受禁锢的表面态电子波的驻波

在金属表面上把电子约束在纳米尺度的环形量子围栏中，导致电子波在围栏内形成同心圆状的驻波，本有无限高圆形对称散射势的分析方法模拟和分析了这种情况了受禁锢的表面态电子波的驻波，并介绍了实验上观察了电子驻波图象的方法。     

多注速调管电子光学系统的模拟

 利用3维电磁场计算软件MAFIA对L波段100 kW多注速调管的多注电子光学系统进行了模拟计算。通过编写宏程序使MAFIA可以计算旁轴电子枪的性能参数，给出了磁场分布并分析了磁场的差异对电子轨迹的影响。模拟表明：中心注磁场具有轴对称性，在均匀区，轨迹的波动性最小，电子轨迹的层流性也最好； 内层电子注径向磁场较小，轨迹的波动性略大于中心注的情况；外层电子注靠近极靴处径向磁场最大，电子轨迹的波动最大，层流性最差。计算并模拟显示了18个电子注在收集极入口处的发散情况。     

用红外钕玻璃激光散射仪测量等离子体电子温度

 简要介绍了汤姆逊散射法测量等离子体电子温度的原理，给出了HT-7超导托卡马克上红外钕玻璃激光散射仪测量电子温度的计算方法，并从概率论的观点出发，分析了该仪器测量等离子体电子温度的有效范围，在100eV～5keV。     

蛋白质电子晶体学

介绍了蛋白质电子晶体学的基本概念，研究对象以及电子显微学三维重构的原理，概括地描述了蛋白质二维晶体生长技术、电镀样品的制备与观察方法和数据处理流程，通过一些典型事例，说明了蛋白质电子晶体学的发展现状，并展望了该学科的发展前景。     

二氧化碳分子的电子贴附解离

本文综述了我们在二氧化碳分子电子贴附解离动力学实验研究方面的进展. 首先，介绍电子贴附解离基本概念并列举二氧化碳研究已有的结果. 其次，研制相关仪器，特别是近两年来发展的高分辨装置. 再次，利用上述装置，我们系统开展了二氧化碳电子贴附解离动力学实验研究，并与他人的研究进行了分析比较. 最后，对火星原地制氧和二氧化碳催化转化等方面的潜在应用进行讨论并展望.     

HL-1M 欧姆放电的电子能量约束定标律

通过电子储能的计算，编制出用于分析HL-1M电子能量约束定标律的数据库。用它与现有的欧姆能量约束定标律进行分析比较，结果表明，HL-1M电子能量约束与Alcator欧姆能量约束定标律的预测结果一致，能量约束饱和的密度值为4.8×1013cm-3。用标准回归分析给出了初步的HL-1M电子能量约束定标律，＿＿，并分析了HL-lM欧姆电子能量约束与输运的关系。     

类氢离子电子碰撞电离截面的扭曲波计算

在扭曲波库仑玻恩交换似近下用编制的计算程序计算了类氢离子Ｈｅ，Ｃ，Ｎｅ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｆｅ的电子碰撞电离截面，并将结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的扭曲波结果作了比较。在２％以内本文的结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的结果一致。并详细研究了半经典交换势对电子碰撞电离截面的效应以及沿等电子数序列变化的规律     

磁场对单壁碳纳米管电子结构和光学性质的影响

我们采用半经验的模型、用单激发组态相互作用方法计算并讨论了外加轴向磁场对单壁碳纳米管电子结构和光学性质的影响。由于电子电子间相互作用的影响，磁场导致碳纳米管吸收峰能级分裂与磁场不成正比。该结果与简单的能带理论所给出的结果在低磁场情况下有本质的区别，并与实验结果有更高的符合度。该研究进一步证明了电子电子间相互作用以及激子在决定碳纳米管电子结构和光学性质中的重要作用。     

自旋极化电子碰撞谱仪的研制进展

与电子自旋相关的效应在散射过程中起着十分重要的作用，但却常常被较强的库仑相互作用所淹没，使得以自然电子为探针的散射实验很难对其进行直接观测。以极化电子作为探针，研制极化电子碰撞谱仪，将为开展自旋相关效应的实验研究奠定基础。本简述了极化电子与原子分子碰撞研究的意义，并介绍了清华大学物理系极化物理实验室自行开发的GaAs极化电子源及基于该极化电子源的碰撞谱仪的研制情况。     

二价硅离子高于3s3p态能级间自旋允许跃迁的理论计算

在最弱受约束电子势模型理论中，电子被分成最弱受约束电子和非最弱受约束电子，而假定最弱受约束电子在核和非最弱受约束电子形成的势场中运动，这样许多多电子体系的问题可以简化成最弱受约束电子的单电子问题来解决．最弱受约束电子势模型理论已经被成功地应用于跃迁几率，振子强度和原子能级的计算．应用一组方程计算了Si III的离子自旋允许跃迁的跃迁几率，计算结果与标准值比较是相当令人满意的，误差均在15%以下．而且表明最弱受约束电子势模型理论可以非常简便并准确地应用于计算高激发态间的跃迁几率．     

等电子法测量小能量激光打靶等离子体电子温度

以低Z的CHO薄膜作为样品靶，在星光激光装置上以小能量激光辐照样品靶产生温度较低的等离子体，采用每毫米2400线的平焦场光栅谱仪测量等离子体发射的碳和氧离子发射谱线强度比，并与理论计算相应线强比较，获得了电子温度，建立了等电子法测量较低温度(100eV左右)等离子体电子温度的诊断技术. 关键词： 电子温度 激光等离子体 等电子x射线谱法     

《物理学》电子教案制作和使用的体会

目前多媒体教学已在全国高校普遍推广，并日益发挥其作用．为此，我们配合马文蔚改编的《物理学》(第四版)教材的使用，制作了配套的电子教案，在教学中边制作边使用．经过近五年的教学实践，广泛听取了学生和教师的反馈意见，并借鉴了兄弟院校制作课件的经验，不断修改，目前已由高等教育出版社高教电子音像出版社出版．此电子教案有如下的主要特点．     

MgB2超导体的同位素效应

本基于双带模型，通过引入非电子—声子相互作用并利用自洽近似方法在贴理论框架内讨论了硼化镁超导体的同位素效应，并探讨了非电子。声子相互作用对体系超导电性的作用。