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介质中点电荷所受电场力的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在两个自由点电荷的电场中,两点电荷之间的相互作用力与点电荷所受的电场力是不同的.在真空中,这两种力是相似的,因为它们都满足这两点电荷之间相互作用的库仑定律.无论在真空中还是介质中,这两个点电荷之间的相互作用力都由它们相互作用的库仑力决定.但在一般情况下,在介质中,作用在点电荷上的电场力是不能由这两个点电荷之间的库仑力决定的.在电场中,如果让各向同性的均匀介质无限分布,作用在点电荷上的电场力仍可由两点电荷间的库仑力决定.本文还研究了介质中点电荷所受的电场力等于两点电荷之间的库仑力的充要条件. 相似文献
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中专物理(下册)学习辅导张世忠(山东省机械工业学校)1静电场1.1学习要点1.1.1真空中的库仑定律在真空中,任何两个电量(即电荷量,下同)为q1和q2的点电荷之间,都有沿它们连线的相互作用力,作用力的大小F跟q1、q2的乘积成正比,而跟它们之间距离... 相似文献
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Jefimenko广义毕-萨定律与库仑定律 总被引:2,自引:2,他引:0
介绍由Jefimenko导出的场量B及E与场源j及ρ直接联系的广义毕-萨定律与库仑定律。并用Je-fimenko方程讨论几个实例,及小区域辐射问题和描述运动点电荷周围电磁场的Feynman公式. 相似文献
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在150K的低温下,NO在清洁的Ru(1010)表面上的吸附,Hell-ARUPS显示在E以下9.3eV(5σ+1π)和14.6eV(4σ)处有两个峰,表明NO在Ru(1010)表面上是分子吸附,NO在Cs/Ru(1010)表面上的吸附,ARUPS测得在E以下6.2,9.2,11.1,12.4和14.9eV处有5个峰,和N2O气相的UPS谱比较认定它们是N2O和NO共存的结果,表明NO在Cs/Ru 相似文献
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采用Tang-Toennes势模型,当入射氨原子能量是E=0.05eV,计算了He-He-H2(D2,T2)弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。 相似文献
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在两个自由点电荷的电场中,两点电荷之间的相互作用力与点电荷所受的电场力是不同的,在真空中,这两种力是相似的,因为它们都满足这两点电荷之间相互作用的库仑定律,无论在真空中还是介质中,这两个点电荷之间的相互作用力都由它们相互作用的库仑力决定,但在一般情况下,在介质中,作用在点电荷上的电场力是不能由这两个点电荷之间的库仑力决定的,在电场中,如果让各向同性的均匀介质无限分布,作用在点电荷上的电场力仍可由两点电荷间的库仑力决定,本文研究了介质中点电荷所受的电场力等于两点电荷之间的库仑力的充要条件。 相似文献
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比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡和钾钠铌酸锶钡两样品的晶格振动和d-d电子跃迁谱,对于拉曼谱,A1(z)对称类的差别较小,E(xy)对称类的差别最大;对于红外反射谱,两对称类的均差别较大,认为Cu^2+部分填充了晶格A位和C位,可见光范围内,d-d电子跃迁谱表明Cu^2+在晶体中形成两个深能级2.5eV和2.64eV。 相似文献
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本文报道的在Zr(Y)O2和LaAIO3两种衬底上制备的YBa2Cu3O7-δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ar(Y)O2上的YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.85eV,而沉积在单晶LaAIO3衬底上YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.12eV处,前者由3.0eV和2.80eV两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。 相似文献
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当He原子入射能量E=0.05eV时,计算了He-H2碰撞弹性散射(00-00)和第一激发态(00-02)的角分布(微分散射截面)。最多计算50个分波,使弹性散射和碰撞激发的散射截面收敛。 相似文献
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给出海洛因和鸦片的傅里叶红外吸收实测谱。根据吸收峰的位置,计算出海洛因的基本声子能量:ELO=0.0486eV,ETO1=0.0555eV,ETO2=0.0616eV,ELA=0.0257eV,ETA1=0.0097eV,ETA2=0.0134eV。这些声子按照不同的组合方式,形成海洛因的全部傅里叶红外吸收峰。 相似文献
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利用点电荷模型,考虑各离子间的短程相互作用,主要了K3C60晶体各离子和原胞的结合能,求得晶格常数a=14.51A,体积弹性模量B=26.23GPa,与实验测量与相符;另外八面体空隙中钾离子的结合能很小,仅有0.17eV,在3种离子中是最不稳定的。 相似文献
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低温区观测汞原子高激发态詹可雷,王绪志(安徽淮南矿业学院232001)汞原子处于激发态时,有两套能级结构,一套单一态,一套三重态.对sp组态,6p电子可处在4种状态。61P1态的能级为6.7eV,63P2.1.0态的能级分别为5.46eV,4.89e... 相似文献
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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内 相似文献