| SiC晶体生长中气相组分输运特性 |
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| 引用本文： | 李源,石爱红,孙彩华,马生元.SiC晶体生长中气相组分输运特性[J].人工晶体学报,2018,47(11):2260-2264. |
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| 作者姓名： | 李源 石爱红 孙彩华 马生元 |
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| 作者单位： | 青海民族大学交通学院,西宁,810007;青海民族大学化学化工学院,西宁,810007 |
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| 基金项目： | 青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q);青海民族大学理工自然科学项目(2017XJG05) |
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| 摘 要： | 针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体,建立了一个二维生长动力学模型研究SiC生长腔内气相组分输运特性,该模型考虑了氩气与气相组分之间的流动耦合,Stefan流和浮力影响.研究表明:在压力较低的情况下,自然对流对气相组分的输运过程影响很小,可以忽略,而当压力增高时,自然对流强度显著增大,不可忽略.其次,随着生长温度升高对流的作用增强,生长腔内输运过程由扩散向对流转变,最终对流主导组分的输运过程.随着压力升高对流作用减弱,扩散为气相组分主要输运方式.
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| 关 键 词： | 碳化硅 输运特性 数值模拟 物理气相传输 |
Vapor Species Transport Characteristics in SiC Crystal Growth |
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| LI Yuan,SHI Ai-hong,SUN Cai-hua,MA Sheng-yuan.Vapor Species Transport Characteristics in SiC Crystal Growth[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(11):2260-2264. |
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| Authors: | LI Yuan SHI Ai-hong SUN Cai-hua MA Sheng-yuan |
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