SiC晶体生长中气相组分输运特性

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (11): 2260-2264.

SiC晶体生长中气相组分输运特性

李源;石爱红;孙彩华;马生元

青海民族大学交通学院,西宁,810007;青海民族大学化学化工学院,西宁,810007

出版日期:2018-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q);青海民族大学理工自然科学项目(2017XJG05)

Vapor Species Transport Characteristics in SiC Crystal Growth

LI Yuan;SHI Ai-hong;SUN Cai-hua;MA Sheng-yuan

Online:2018-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体,建立了一个二维生长动力学模型研究SiC生长腔内气相组分输运特性,该模型考虑了氩气与气相组分之间的流动耦合,Stefan流和浮力影响.研究表明:在压力较低的情况下,自然对流对气相组分的输运过程影响很小,可以忽略,而当压力增高时,自然对流强度显著增大,不可忽略.其次,随着生长温度升高对流的作用增强,生长腔内输运过程由扩散向对流转变,最终对流主导组分的输运过程.随着压力升高对流作用减弱,扩散为气相组分主要输运方式.

中图分类号:

O782

李源;石爱红;孙彩华;马生元. SiC晶体生长中气相组分输运特性[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(11): 2260-2264.

LI Yuan;SHI Ai-hong;SUN Cai-hua;MA Sheng-yuan. Vapor Species Transport Characteristics in SiC Crystal Growth[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2018, 47(11): 2260-2264.

[1]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[2]	石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793.
[3]	韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910.
[4]	王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404.
[5]	倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489.
[6]	袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493.
[7]	张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂. 中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1494-1498.
[8]	陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬. 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1505-1508.
[9]	李宝珠;高彦昭;王健;程红娟;陈毅;姚宝权. 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1517-1522.
[10]	姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161.
[11]	茅艳琳;左然. 行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1168-1175.
[12]	李一村;郝晓斌;代兵;舒国阳;赵继文;张森;刘雪冬;王伟华;刘康;曹文鑫;杨磊;朱嘉琦;韩杰才. MPCVD单晶金刚石高速率和高品质生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 979-989.
[13]	齐红基;邵建达;吴福林;王斌;陈端阳. KDP类晶体快速生长技术研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1004-1009.
[14]	高忙忙;祁雪燕;高昂;赵旭;李瑞;苏圣尧;张方圆;郑玉鑫. 冷却速率对Al-30wt;Si合金初晶硅形貌和杂质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1088-1093.
[15]	方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬. 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771-773.