| 新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能 |
| |
| 引用本文： | 乐毅,李澄,陈宏芳,张永明,汪晓莲,王立刚,邵传芬,史常忻.新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能[J].中国物理 C,1998,22(12):1092-1099. |
| |
| 作者姓名： | 乐毅 李澄 陈宏芳 张永明 汪晓莲 王立刚 邵传芬 史常忻 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学近代物理系 合肥 230027;1 上海交通大学微电子技术研究所 上海 200030 |
| |
| 摘 要： | 研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能,测量了241Am 5.48MeVα粒子、57Co 122keV的光子和90Sr 2.27MeVβ粒子的最小电离粒子谱,比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过137Cs 662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收集效率和能量分辨率.测量结果显示这种新型金属─半导体─金属(MSM)结构的半导体探测器不仅在室温下对各种粒子具有良好的探测能力,而且具有很好的抗辐照性能.
|
| 关 键 词： | MSM结构 GaAS半导体 粒子探测器 |
| 收稿时间： | 1997-12-15 |
Properties of a New Kind of MSM Structure Gallium Arsenide Detectors |
| |
| Le Yi, Li Cheng Chen, Hongfang, Zhang Yongming,Wang Xiaolian, Wang Ligang.Properties of a New Kind of MSM Structure Gallium Arsenide Detectors[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,1998,22(12):1092-1099. |
| |
| Authors: | Le Yi Li Cheng Chen Hongfang Zhang Yongming Wang Xiaolian Wang Ligang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MSM structure GaAs semiconductor particle detector |
|
| 点击此处可从《中国物理 C》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《中国物理 C》下载全文 |
|
