| (111)择优取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的制备及研究 |
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| 引用本文： | 郑分刚,陈建平,李新碗.(111)择优取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的制备及研究[J].物理学报,2006,55(6). |
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| 作者姓名： | 郑分刚 陈建平 李新碗 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 选用不同浓度的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3溶胶,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT52)过渡层,经400℃烘烤、550℃退火等程序后,再用Sol-gel法在PZT52过渡层上沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜.XRD分析表明,有PZT52过渡层的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜具有(111)择优取向的钙钛矿结构,且随着过渡层厚度的增加,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的(111)择优取向程度越高.SEM分析表明,当PZT52过渡层的厚度达到14nm以上,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜结晶程度得到明显改善,平均晶粒尺寸大大增加.介电、铁电性能测试表明,与没有过渡层的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜相比,有PZT52过渡层的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜具有较大的介电常数和剩余极化强度,而介电损耗则较小.
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| 关 键 词： | PZT铁电薄膜 择优取向 过渡层 剩余极化强度 |
Improved dielectric and ferroelectric characteristics of highly (111)-oriented Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films produced by Sol-Gel method |
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| Zheng Fen-Gang,Chen Jian-Ping,Li Xin-Wan.Improved dielectric and ferroelectric characteristics of highly (111)-oriented Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films produced by Sol-Gel method[J].Acta Physica Sinica,2006,55(6). |
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| Authors: | Zheng Fen-Gang Chen Jian-Ping Li Xin-Wan |
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