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分类号
杂志ISSN号
富硅氮化硅/c—Si异质结中的电流输运机理研究
引用本文:
丁文革,桑云刚,于威,杨彦斌,滕晓云,傅广生.富硅氮化硅/c—Si异质结中的电流输运机理研究[J].物理学报,2012,61(24).
作者姓名:
丁文革
桑云刚
于威
杨彦斌
滕晓云
傅广生
作者单位:
河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002
基金项目:
国家自然科学基金,河北省自然科学基金,河北省重点基础研究项目(
摘 要:
采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅(c—Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c—Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=4-2V时为1.3×10^3.在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
关 键 词:
对靶磁控溅射
富硅氮化硅
异质结
传输机理
Current transport mechanism in silicon-rich silicon nitride/c-Si heterojunction
Abstract:
Keywords:
facing targe sputtering
Si-rich silicon nitride
heterojunction
transport mechanism
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