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| 532nm长脉冲激光致GaAs热分解损伤的半解析法分析 | |
| 引用本文： | 毕娟,金光勇,倪晓武,张喜和,姚志健.532nm长脉冲激光致GaAs热分解损伤的半解析法分析[J].物理学报,2012,61(24). |
| 作者姓名： | 毕娟 金光勇 倪晓武 张喜和 姚志健 |
| 作者单位： | 1. 长春理工大学理学院,长春,130022 2. 南京理工大学理学院,南京,210094 3. 中国兵器科学研究院,北京,100089 |
| 基金项目： | 吉林省科技支撑重点项目( |
| 摘 要： | 考虑到GaAs具有受热分解的特性，采用热传导理论和半解析法研究了波长532nm的毫秒量级长脉冲激光致GaAs的表面热分解损伤．首先，建立了激光辐照GaAs的二维轴对称瞬态温度场及表面热分解损伤阈值的计算模型，模拟了吸收率不同时，GaAs的瞬态温度场分布及热分解损伤阈值．计算结果表明：较高的吸收率引起GaAs表面的温升较高，但所需的热分解损伤阈值较低；增加作用激光能量密度，GaAs表面发生热分解损伤随之提前．本文研究结果对激光与GaAs相互作用及其损伤机理的研究具有指导意义和实用价值． |
| 关 键 词： | 长脉冲激光 热分解损伤 半解析法 GaAs |
Analysis of 532nm long pulse laser-induced thermal decomposition damage to GaAs by semi-analytical method |
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| Abstract: | |
| Keywords: | long pulse laser thermal decomposition damage semi-analytical method GaAs |
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