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| MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较 | |
| 引用本文： | 卢励吾,徐俊英.MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较[J].物理学报,1995,44(8):1249-1255. |
| 作者姓名： | 卢励吾 徐俊英 |
| 摘 要： | 应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面 |
| 关 键 词： | 电性质 激光器 AlGaAs 深中心 MBE MOCVD |
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