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注入Ar+的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析
引用本文:周丽宏,张崇宏,李炳生,杨义涛,宋银.注入Ar+的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析[J].物理学报,2008,57(4).
作者姓名:周丽宏  张崇宏  李炳生  杨义涛  宋银
基金项目:中国科学院"西部之光"人才培养计划 , 国家自然科学基金
摘    要:对注入Ar 后不同晶面取向的蓝宝石晶体在不同退火条件下的光致发光谱进行了分析.分析结果表明:三种晶面取向的蓝宝石样品经Ar 注入后,其光致发光谱中均出现了新的位于506 nm处的发光峰;真空和空气气氛下的退火均对样品在506 nm处的发光有增强作用,不同晶面取向的样品发光增强程度不同,且发光增强至最大时的退火温度也不同,空气气氛下的退火使样品发光增强程度更为显著.由此可以看出,退火气氛、退火温度和晶面取向均对样品发光峰强度有影响.

关 键 词:Al2O3  离子注入  退火  光致发光谱  注入  蓝宝石晶体  晶体退火  光致发光谱  分析  Photoluminescence  annealing  影响  峰强度  退火气氛  退火温度  程度  增强作用  空气气氛  真空  发光峰  样品  结果  退火条件  晶面取向

Photoluminescence of Ar+ implanted sapphire before and after annealing
Zhou Li-Hong,Zhang Chong-Hong,Li Bing-Sheng,Yang Yi-Tao,Song Yin.Photoluminescence of Ar+ implanted sapphire before and after annealing[J].Acta Physica Sinica,2008,57(4).
Authors:Zhou Li-Hong  Zhang Chong-Hong  Li Bing-Sheng  Yang Yi-Tao  Song Yin
Abstract:
Keywords:
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