| 高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究 |
| |
| 引用本文： | 常虎东,孙兵,卢力,赵威,王盛凯,王文新,刘洪刚.高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究[J].物理学报,2012,61(21):420-425. |
| |
| 作者姓名： | 常虎东 孙兵 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所、微波器件与集成电路研究室,北京,100029
2. 中国科学院物理研究所,北京,100190 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划，国家科技重大专项( |
| |
| 摘 要： | 从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino0.6Ga0.4AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino0.6Ga0.4As MOSFET相比,Ino0.6Ga0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In0.6Ga0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm2/V.s-1,是In0.6Ga0.4As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.
|
| 关 键 词： | 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 InGaAs Al2O3 |
Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET |
| |
| Chang Hu-Dong,Sun Bing,Lu Li,Zhao Wei,Wang Sheng-Kai,Wang Wen-Xin,Liu Hong-Gang.Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):420-425. |
| |
| Authors: | Chang Hu-Dong Sun Bing Lu Li Zhao Wei Wang Sheng-Kai Wang Wen-Xin Liu Hong-Gang |
| |
| Affiliation: | 1)) 1)(Microwave Device and IC Department,Institute of Microelectronics,Chines Academy of Sciences,Beijing 100029,China) 2)(Institute of Physics,Chines Academy of Science,Beijing 100190,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOSHEMT MOSFET InGaAs Al2O3 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
