首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

新型近红外超长余辉材料Zn_3Al_2Ge_2O_(10)∶Cr~(3+)的发光性能
引用本文:杨小平,崔瑞瑞,张弛.新型近红外超长余辉材料Zn_3Al_2Ge_2O_(10)∶Cr~(3+)的发光性能[J].发光学报,2014,35(3):300.
作者姓名:杨小平  崔瑞瑞  张弛
作者单位:杨小平:贵州大学电子信息学院 贵州省电子功能复合材料特色重点实验室, 贵州 贵阳550025
崔瑞瑞:贵州大学电子信息学院 贵州省电子功能复合材料特色重点实验室, 贵州 贵阳550025
张弛:贵州大学电子信息学院 贵州省电子功能复合材料特色重点实验室, 贵州 贵阳550025
基金项目:贵州省科技计划(2012-3005,2010-4005,2009-15,2010-2134,2011-2016); 贵阳市科技计划(2012101-2-4)资助项目
摘    要:采用高温固相法制备了新型近红外长余辉材料Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+,利用X射线衍射、荧光光谱和余辉衰减曲线等对合成的样品进行了分析。结果表明:样品Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+是Ge4+取代ZnAl2O4∶Cr3+尖晶石中的部分Al3+而形成的固溶体。在397 nm光的激发下,发射光谱主要由两个明显的窄峰叠加在Cr3+离子的自旋允许跃迁4T2→4A2辐射的宽发射带上。发光强度随着Cr3+离子掺杂浓度的增大和煅烧温度的升高而出现浓度猝灭及温度猝灭现象。当Zn3Al2-xGe2O10∶xCr3+中的Cr3+离子掺杂量x为2%且煅烧温度为1 350℃时,样品的近红外发光及余辉强度最大。材料的余辉持续时间超过300 h,余辉发射谱峰位与荧光发射光谱中的N线一致,均位于697 nm附近。最后分析了煅烧温度对样品余辉性能的影响,并对材料的余辉机制进行了探讨。

关 键 词:近红外长余辉  ZnAlGeO∶Cr+  浓度猝灭  反位缺陷
收稿时间:2013/10/4
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号