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利用同步辐射光电子能谱技术研究Pb1-xSrxTe薄膜的能带移动及其组成异质结能带带阶
引用本文:蔡春锋,彭曼丽,翟继志,毕岗,张兵坡,王淼,吴惠桢,张文华,朱俊发.利用同步辐射光电子能谱技术研究Pb1-xSrxTe薄膜的能带移动及其组成异质结能带带阶[J].红外与毫米波学报,2016,35(2):214-218.
作者姓名:蔡春锋  彭曼丽  翟继志  毕岗  张兵坡  王淼  吴惠桢  张文华  朱俊发
作者单位:浙江大学城市学院信息与电气工程学院,浙江大学城市学院信息与电气工程学院,浙江大学物理系,浙江大学物理系,浙江大学物理系,中国科技大学国家同步辐射实验室,中国科技大学国家同步辐射实验室
基金项目:国家自然科学基金项目(No. 61275108, 11374259),浙江省自然科学基金(No. Z1110057, LY15F050009),浙江省教育厅科研项目(No.Y201430784),浙江大学城市学院教师科研基金(No. J-15011)
摘    要:利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb_(1-x)Sr_xTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb_(1-x)Sr_xTe/Pb Te异质结中导带帯阶所占比率.当不考虑应力时,该异质结界面导带带阶比率Qc=ΔEC/ΔEg=0.71.当考虑应力时,PbTe能带发生L能谷与O能谷的劈裂,其导带带阶比率分别为QLC=0.47和QOC=0.72.Pb_(1-x)Sr_xTe/Pb Te异质结界面具有类型Ⅰ的能带排列结构,这说明Pb_(1-x)Sr_xTe/PbTe型量子阱或量子点对电子与空穴都有较强的限制能力.该异质结能带帯阶的精确测量有利于该类三元系半导体异质结在中红外光电器件的研发和应用中发挥重要作用.

关 键 词:同步辐射光电子能谱  PbTe/Pb1-xSrxTe异质结  能带带阶
收稿时间:2015/6/12 0:00:00
修稿时间:2015/12/31 0:00:00

Band shift of Pb1-xSrxTe thin film and its band alignment using synchrotron radiation photoelectron spectroscope
CAI Chun-Feng,PENG Man-Li,ZHAI Ji-Zhi,BI Gang,ZHANG Bing-Po,WANG Miao,WU Hui-Zhen,ZHANG Wen-Hua and ZHU Jun-Fa.Band shift of Pb1-xSrxTe thin film and its band alignment using synchrotron radiation photoelectron spectroscope[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35(2):214-218.
Authors:CAI Chun-Feng  PENG Man-Li  ZHAI Ji-Zhi  BI Gang  ZHANG Bing-Po  WANG Miao  WU Hui-Zhen  ZHANG Wen-Hua and ZHU Jun-Fa
Institution:School of Information Electrical Engineering,Zhejiang University City College,Hangzhou,School of Information Electrical Engineering,Zhejiang University City College,Hangzhou,Department of Physics,Zhejiang University,Hangzhou,Department of Physics,Zhejiang University,Hangzhou,Department of Physics,Zhejiang University,Hangzhou,National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China,Hefei,National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China,Hefei
Abstract:
Keywords:synchrotron radiation photoelectron spectroscope  PbTe/Pb1-xSrxTe heterostructure  band offset
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