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| 0.6m CMOS过温保护电路设计 | |
| 引用本文： | 董小英,孙颖,朱大中.0.6m CMOS过温保护电路设计[J].固体电子学研究与进展,2008,28(2):281-284. |
| 作者姓名： | 董小英 孙颖 朱大中 |
| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所,杭州,310027 |
| 基金项目： | 浙江省科技厅重大科技专项重点项目 |
| 摘 要： | 采用CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成:PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路,带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1.6%),灵敏度约为10mV/℃;关断温度可由外接电阻设定,85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃,85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低,且具有良好的移植性,可广泛应用于LED照明驱动电路,电源管理芯片等场合,也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。 |
| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 过温保护 功率场效应管 |
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