|
|||||
|
|
| 超越紫外线光刻极限的新工艺 | |
| 引用本文： | 吴自勤.超越紫外线光刻极限的新工艺[J].物理,1998(10). |
| 作者姓名： | 吴自勤 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学基础物理中心 |
| 摘 要： | 在美国，由公司、政府部门、大学的技术领导人组成的半导体工业协会（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｏｃｉａｔｉｏｎ，ＳＩＡ），１９９２年、１９９４年和１９９７年，分别发布了１５年国家半导体技术指南（ｒｏａｄｍａｐ）．在１９９７年的指南中... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |