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利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性
引用本文:李家业,赵永梅,刘兴昉,孙国胜,罗木昌,王雷,赵万顺,曾一平,李晋闽.利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性[J].半导体学报,2007,28(1):1-4.
作者姓名:李家业  赵永梅  刘兴昉  孙国胜  罗木昌  王雷  赵万顺  曾一平  李晋闽
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083
摘    要:利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性、电学均匀性和厚度均匀性进行了分析.X射线衍射图中出现了强的3C-SiC的特征峰,其中3C-SiC的(200)和(111)峰的半高宽分别为0.41°和0.21°.3C-SiC外延膜方块电阻的均匀性最好可达2.15%.厚度均匀性可达±5.7%(σ/mean值).

关 键 词:3C-SiC  异质外延生长  水平热壁CVD  均匀性
文章编号:0253-4177(2007)01-0001-04
收稿时间:5/30/2006 3:20:24 PM
修稿时间:7/12/2006 5:05:30 PM

Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD
Li Jiaye,Zhao Yongmei,Liu Xingfang,Sun Guosheng,Luo Muchang,Wang Lei,Zhao Wanshun,Zeng Yiping and Li Jinmin.Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1):1-4.
Authors:Li Jiaye  Zhao Yongmei  Liu Xingfang  Sun Guosheng  Luo Muchang  Wang Lei  Zhao Wanshun  Zeng Yiping and Li Jinmin
Institution:Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China
Abstract:
Keywords:3C-SiC  heteroepitaxial growth  horizontal hot-wall CVD  uniformity
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