| 氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能 |
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| 引用本文： | 赖云锋,冯洁,乔保卫,凌云,林殷茵,汤庭鳌,蔡炳初,陈邦明. 氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能[J]. 物理学报, 2006, 55(8) |
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| 作者姓名： | 赖云锋 冯洁 乔保卫 凌云 林殷茵 汤庭鳌 蔡炳初 陈邦明 |
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| 摘 要： | 通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(N-GST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5 (GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用N-GST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.
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| 关 键 词： | 相变存储器 多态存储 N掺杂 |
Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 film for phase change memory |
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| Lai Yun-Feng,Feng Jie,Qiao Bao-Wei,Ling Yun,Lin Yin-Yin,Tang Ting-Ao,Cai Bing-Chu,Chen Bang-Ming. Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 film for phase change memory[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(8) |
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| Authors: | Lai Yun-Feng Feng Jie Qiao Bao-Wei Ling Yun Lin Yin-Yin Tang Ting-Ao Cai Bing-Chu Chen Bang-Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge2Sb2Te5 |
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