| GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究 |
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| 引用本文： | 黄醒良,方晓明,沈学础,袁诗鑫.GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究[J].红外与毫米波学报,1993,12(5). |
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| 作者姓名： | 黄醒良 方晓明 沈学础 袁诗鑫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家实验室 上海 200083，红外物理国家实验室 上海 200083，红外物理国家实验室 上海 200083，上海 200083 |
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| 摘 要： | 从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。
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| 关 键 词： | 超声压焊 In球熔焊 损伤机理 多量子阱 红外探测器 |
STUDY OF ELECTRODE BONDING DAMAGE OF GaAs/AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR |
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| HUANG XINGLIANG,FANG XIAOMING,SHEN XUECHU.STUDY OF ELECTRODE BONDING DAMAGE OF GaAs/AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1993,12(5). |
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| Authors: | HUANG XINGLIANG FANG XIAOMING SHEN XUECHU |
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| Abstract: | The pressure distribution, pressure damage radius and the depth in bonding, and the damage in ultrasonic bonding are discussed with the cylinder flow model. Besides, the ultrasonic bonding damage mechanism and the force damage of Au wire in indium ball melt-bonding technique of GaAs/AlGaAs multiple quantum well detector are also discussed in this article. |
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| Keywords: | ultrasonic bonding indium ball melt-bonding damage mechanism multiple quantum well infrared detector |
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