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| 真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究 | |
| 引用本文： | 杨国渝,税国华,张正元,温志渝.真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究[J].微纳电子技术,2003(8). |
| 作者姓名： | 杨国渝 税国华 张正元 温志渝 |
| 摘 要： | 采用真空键合技术,成功地将表面具有深度不同的硅槽或框架结构的硅圆片与另外两个硅圆片贴合形成三层夹心结构,经高温退火处理,得到一种粘合牢固的硅“三明治“体.这种“三明治“体的上下两个硅片仍可进行IC加工,为MEMS传感部分和测试电路的三维一体化集成打下了坚实的基础. |
| 关 键 词： | 真空键合 退火 三层结构 IC工艺 |
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