| 一种4 ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 郑儒富,俞永康.一种4 ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源[J].微电子学,2007,37(1):101-104. |
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| 作者姓名： | 郑儒富 俞永康 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 提出了一种采用新型曲率补偿技术的CMOS带隙基准源。该电路利用BJT电流和电压的指数关系,得到了高阶曲率补偿的基准电压。在-55~ 125℃温度范围内,通过HSPICE仿真验证,基准电压的温度系数不到4ppm/℃。在此基础上,实现了可调节的基准电压输出。
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| 关 键 词： | 温度补偿 带隙基准源 温度系数 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）01-0101-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-292006-08-10 |
A Curvature Compensated CMOS Bandgap Reference with 4 ppm/℃ |
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| ZHENG Ru-fu,YU Yong-kang.A Curvature Compensated CMOS Bandgap Reference with 4 ppm/℃[J].Microelectronics,2007,37(1):101-104. |
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| Authors: | ZHENG Ru-fu YU Yong-kang |
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| Institution: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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