| XeF2对SiO2/Si的干法刻蚀 |
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| 引用本文： | 尉伟,吴晓伟,吕凡,肖云峰,付绍军,裴元吉,韩正甫.XeF2对SiO2/Si的干法刻蚀[J].中国科学技术大学学报,2009,39(6). |
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| 作者姓名： | 尉伟 吴晓伟 吕凡 肖云峰 付绍军 裴元吉 韩正甫 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029
2. 中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室,安徽合肥,230027 |
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| 基金项目： | 国家大科学工程，国家自然科学基金，中国科学技术大学青年基金 |
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| 摘 要： | XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000.
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| 关 键 词： | 硅刻蚀 各向同性干法刻蚀 光学微腔 |
SiO2/Si dry etching with XeF2 |
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| WEI Wei,WU Xiao-wei,LU Fan,XIAO Yun-feng,FU Shao-jun,PEI Yuan-ji,HAN Zheng-fu.SiO2/Si dry etching with XeF2[J].Journal of University of Science and Technology of China,2009,39(6). |
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| Authors: | WEI Wei WU Xiao-wei LU Fan XIAO Yun-feng FU Shao-jun PEI Yuan-ji HAN Zheng-fu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XeF2 |
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