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基于ScAlN/FeGa结构的磁电声表面波谐振器
引用本文:姜建利,杨雪梅,刘婉,白飞明.基于ScAlN/FeGa结构的磁电声表面波谐振器[J].压电与声光,2019,41(1):4-8.
作者姓名:姜建利  杨雪梅  刘婉  白飞明
作者单位:;1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61871081)
摘    要:该文研究基于磁致伸缩FeGa合金衬底的磁电声表面波(SAW)谐振器。首先,在FeGa磁致伸缩衬底上溅射沉积了ScAlN压电薄膜,完成了单端口声表面波谐振器的制备;其次,采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等手段对ScAlN薄膜进行结构分析;最后,采用矢量网络分析仪和微波探针台测试S参数和群时延。结果表明,ScAlN薄膜晶粒呈柱状生长且具有高度(002)取向,薄膜表面粗糙度在2.36nm左右;当ScAlN压电薄膜厚为0.7μm,波长为15.74μm时,SAW谐振器的谐振频率为218.75 MHz,相速度为3 443m/s,机电耦合系数为0.06%,与COMSOL仿真计算结果较吻合。

关 键 词:FeGa合金衬底  磁致伸缩效应  ScAlN薄膜  磁电效应  声表面波谐振器

Magnetoelectric Surface Acoustic Wave Resonator Based on ScAlN/FeGa Structure
JIANG Jianli,YANG Xuemei,LIU Wan,BAI Feiming.Magnetoelectric Surface Acoustic Wave Resonator Based on ScAlN/FeGa Structure[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2019,41(1):4-8.
Authors:JIANG Jianli  YANG Xuemei  LIU Wan  BAI Feiming
Institution:(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China)
Abstract:
Keywords:galfenol alloys substrate  magnetostrictive effect  ScAlN thin film  magnetoelectric effect  surface acoustic wave resonator
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