| 退火温度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜的光致荧光光谱的影响 |
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| 引用本文： | 谭娜,段淑卿,张庆瑜.退火温度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜的光致荧光光谱的影响[J].物理学报,2005,54(9). |
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| 作者姓名： | 谭娜 段淑卿 张庆瑜 |
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| 摘 要： | 通过对不同退火条件下Er/Yb共掺Al2O3薄膜光致荧光(PL)光谱的系统分析,研究了高Er/Yb掺杂浓度所导致的晶体场变化对薄膜PL光谱的影响,并结合薄膜结构分析,探讨了Al2O3薄膜的结晶状态在Er3+激活、PL光谱宽化中的作用及可能的物理机理.研究结果表明:退火处理所导致的Er3+ PL光谱的变化与薄膜的微观状态之间有着密切的联系.在600-750℃范围内,薄膜呈非晶态结构,薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内缺陷减少所致;在800-900℃范围内,γ-Al2O3相的出现是导致荧光强度明显增加的主要原因;当退火温度为1000℃时,Er,Yb的大量析出致使荧光强度的急剧下降.此外,对PL光谱线形分析表明,各子能级跃迁的相对强度变化是导致荧光光谱宽化的主要因素.
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| 关 键 词： | Er/Yb共掺 Al2O3薄膜 光致荧光 |
Influence of annealing temperature on the luminescence of Er/Yb co-doped Al2O3 Films |
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| Tan Na,Duan Shu-Qing,ZHANG Qing-yu.Influence of annealing temperature on the luminescence of Er/Yb co-doped Al2O3 Films[J].Acta Physica Sinica,2005,54(9). |
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| Authors: | Tan Na Duan Shu-Qing ZHANG Qing-yu |
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