| 凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析 |
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| 引用本文： | 陈辰,陈堂胜,任春江,薛舫时.凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析[J].半导体学报,2007,28(Z1):407-410. |
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| 作者姓名： | 陈辰 陈堂胜 任春江 薛舫时 |
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| 作者单位： | 陈辰（南京大学物理系,南京,210008;单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;陈堂胜（单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;任春江（单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016）;薛舫时（单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016） |
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| 摘 要： | 研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 动态测试 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0407-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月16 |
Characteristic of the Recessed-Gate AlGaN／GaN HEMT with a Field Plate |
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| Chen Chen,Chen Tangsheng,Ren Chunjiang,Xue Fangshi.Characteristic of the Recessed-Gate AlGaN／GaN HEMT with a Field Plate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):407-410. |
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| Authors: | Chen Chen Chen Tangsheng Ren Chunjiang Xue Fangshi |
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| Abstract: | |
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