| 竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长 |
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| 引用本文： | 马平,段垚,魏同波,段瑞飞,王军喜,曾一平,李晋闽. 竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 253-256 |
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| 作者姓名： | 马平 段垚 魏同波 段瑞飞 王军喜 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 马平（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;段垚（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;魏同波（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;段瑞飞（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王军喜（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;曾一平（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;李晋闽（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 摘 要： | 根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延 理论模拟 GaN 竖直 HVPE 反应系统 理论模拟 厚膜 生长速率 Film Growth Reactor Vertical Simulation 黄光发射 样品 半高宽 曲线 射线 中心区域 外延层 结果 实验 分布均匀 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0253-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-12 |
Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth |
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| Ma Ping,Duan Yao,Wei Tongbo,Duan Ruifei,Wang Junxi,Zeng Yiping,Li Jinmin. Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 253-256 |
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| Authors: | Ma Ping Duan Yao Wei Tongbo Duan Ruifei Wang Junxi Zeng Yiping Li Jinmin |
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