| HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究 |
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| 引用本文： | 周文洪,叶振华,胡晓宁,丁瑞军,何力.HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究[J].激光与红外,2007,37(Z1). |
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| 作者姓名： | 周文洪 叶振华 胡晓宁 丁瑞军 何力 |
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| 摘 要： | 文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.
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| 关 键 词： | HgCdTe 刻蚀掩模 干法刻蚀 磁控溅射 SiO2 HgCdTe 干法刻蚀 掩模技术 技术研究 Etching Inductively Coupled Plasma Etched Technology Mask 无损伤 生长条件 优化 电学 表面 介质 测试 模具 磁控溅射 垂直度 侧壁 |
Study on Mask Technology of HgCdTe Etched by Inductively Coupled Plasma Dry Etching |
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| ZHOU Wen-hong,YE Zhen-hua,HU Xiao-ning,DING Rui-jun,HE Li.Study on Mask Technology of HgCdTe Etched by Inductively Coupled Plasma Dry Etching[J].Laser & Infrared,2007,37(Z1). |
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| Authors: | ZHOU Wen-hong YE Zhen-hua HU Xiao-ning DING Rui-jun HE Li |
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