| 不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性 |
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| 引用本文： | 李院平,邴丕彬,闫昕,梁兰菊,薛冬,田贵才. 不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 779-782,797 |
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| 作者姓名： | 李院平 邴丕彬 闫昕 梁兰菊 薛冬 田贵才 |
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| 作者单位： | 1. 枣庄学院光电工程学院,枣庄,277160
2. 华北水利水电学院电力学院,郑州,450011 |
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| 基金项目： | 山东省2012年高等学校科技计划项目，山东省2011年高等学校科技计划项目，国家科技支撑计划，枣庄市科学技术发展计划项目，枣庄市科学技术发展计划项目 |
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| 摘 要： | 应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据。
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| 关 键 词： | 三维光子晶体 平面波展开法 带隙特性 |
Band Gap Properties of Three-Dimensional Photonic Crystals with Different Semiconductor Material |
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| LI Yuan-ping , BING Pi-bin , YAN Xin , LIANG Lan-ju , XUE Dong , TIAN Gui-cai. Band Gap Properties of Three-Dimensional Photonic Crystals with Different Semiconductor Material[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 779-782,797 |
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| Authors: | LI Yuan-ping BING Pi-bin YAN Xin LIANG Lan-ju XUE Dong TIAN Gui-cai |
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| Affiliation: | 1(1.College of Opto-Electronic Engineering,Zaozhuang University,Zaozhuang 277160,China; 2.Institute of Electric Power,North China University of Water Resources and Electric Power,Zhengzhou 450011,China) |
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| Abstract: | |
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