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| 1.3μm液相外延和汽相外延生长的InGaAsP边发射发光二极管 | |
| 引用本文： | G.H.Olsen,姚晓峨.1.3μm液相外延和汽相外延生长的InGaAsP边发射发光二极管[J].微纳电子技术,1982(5). |
| 作者姓名： | G.H.Olsen 姚晓峨 |
| 摘 要： | 用汽相和液相外延制作的InGaAsP/InP1.3μm边发射发光二极管已获得较高的性能。最好的结果为出纤功率135μW(梯度光纤,芯径50μm、数值孔径0.2),光谱半宽约600A,上升/下降时间约2ns,交流调制速率约200MHz,而且在70℃下可靠工作超过17000小时,在120℃下超过3000小时。本文对这种器件远场图的非对称性也进行了讨论。 |
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