|
|||||
|
|
| 霍尔效应中的空穴 | |
| 引用本文： | 赵庆利,马连喜.霍尔效应中的空穴[J].物理通报,2008(5):14-16. |
| 作者姓名： | 赵庆利 马连喜 |
| 作者单位： | 1. 唐山大学自动化系,河北,唐山,063000 2. Department of Physics,Blinn College,2423 Blinn Bivd,Bryan,TX 77805 |
| 摘 要： | 霍尔效应(Hall effect)可以用来测定金属和半导体中的载流子符号.霍尔系数定义为RH=Ey/jxH其中Ey,jx,H分别为电场、电流密度和磁场(图1).如果RH＜0,那就意味着Ey沿着-y方向,载流子的符号为负(即电子);如果RH＞0,那就意味着Ey沿着y方向,载流子的符号为正,称之为空穴(holes). |
| 关 键 词： | 电子 方向 磁场 电流密度 电场 霍尔系数 符号 载流子 半导体 金属 测定 Hall effect 霍尔效应 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |