| 双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析段宝兴 |
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| 引用本文： | 段宝兴,张波,李肇基.双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析段宝兴[J].半导体学报,2006,27(5):886-891. |
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| 作者姓名： | 段宝兴 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心，成都 610054;电子科技大学IC设计中心，成都 610054;电子科技大学IC设计中心，成都 610054 |
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| 摘 要： | 在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上,提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构.双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为零限制的3倍关系,埋氧层的电场可以高达200V/μm;而且双面阶梯对表面电场的调制作用使其表面电场达到近乎理想的均匀分布.借助二维MEDICI数值分析软件,验证了此结构具有同时优化横向SOI基高压器件横、纵向电场,提高击穿电压的优点.
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| 关 键 词： | 双面阶梯埋氧SOI 电荷积累 表面电场 击穿电压 阶梯埋氧型 结构 耐压 分析软件 Structure Buried Oxide Step Double Analysis Voltage 击穿电压 高压器件 同时优化 验证 数值 MEDICI 均匀分布 调制作用 表面电场 埋氧层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0886-06 |
| 收稿时间： | 08 30 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 10 14 2005 12:00AM |
Breakdown Voltage Analysis for a Double Step Buried Oxide SOI Structure |
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| Duan Baoxing,Zhang Bo and Li Zhaoji.Breakdown Voltage Analysis for a Double Step Buried Oxide SOI Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5):886-891. |
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| Authors: | Duan Baoxing Zhang Bo and Li Zhaoji |
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| Institution: | IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China;IC Design Center,University of Electronic Science & Technology,Chengdu 610054,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double step buried oxide SOI charges accumulation surface electric field breakdown voltage |
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