| 不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响 |
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| 作者姓名： | 王晓东 刘会赟 牛智川 封松林 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家攀登计划(批准号：19823001)和国家自然科学基金(批准号：69776016)资助的课题. |
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| 摘 要： | 研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明，InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小，并且x＝0.3时，InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大，量子点的光荧光峰红移，但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.关键词：量子点盖层应力红移
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| 关 键 词： | 量子点 盖层 应力 红移 |
| 收稿时间： | 2000-01-07 |
| 修稿时间： | 2000-01-07 |
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