| Co基磁性隧道结势垒结构的电子全息研究 |
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| 引用本文： | 张喆,朱涛,冯玉清,张泽.Co基磁性隧道结势垒结构的电子全息研究[J].物理学报,2005,54(12):5861-5866. |
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| 作者姓名： | 张喆 朱涛 冯玉清 张泽 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院物理研究所，北京 100080; (2)中国科学院物理研究所，北京 100080;北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京 100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：19890310，50171078，50471054)和国家重点基础研究发展规划(批准号：2002CB613500)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用高分辨电子显微术和电子全息方法研究了Co基磁性隧道结退火热处理前后的微观结构及相应势垒层结构的变化. 研究结果表明，退火处理可以明显地改善势垒层和顶电极、底电极之间的界面质量，改进势垒层本身的结构. 这与该磁性隧道结经过280℃退火处理后，隧道磁电阻值大大增加是一致的.
关键词：
磁性隧道结
隧道磁电阻
高分辨电子显微学
电子全息
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| 关 键 词： | 磁性隧道结 隧道磁电阻 高分辨电子显微学 电子全息 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54（12）/5861-06 |
| 收稿时间： | 04 15 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-04-152005-06-28 |
Electron holography investigation on the barrier structures of Co based magnetic tunnel junctions |
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| Zhang Zhe,Zhu Tao,Feng Yu-Qing,Zhang Ze.Electron holography investigation on the barrier structures of Co based magnetic tunnel junctions[J].Acta Physica Sinica,2005,54(12):5861-5866. |
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| Authors: | Zhang Zhe Zhu Tao Feng Yu-Qing Zhang Ze |
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| Institution: | 1.Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China; 2.Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China |
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| Abstract: | The barrier potential profiles and microstructure of Co based magnetic tunnel junctions (MTJs) annealed up to 340℃ have been studied by electron holography (EH) and high resolution electron microscopy. The EH results reveal that the annealing process can well improve the quality of interfaces between barrier and ferromagnetic electrodes, and of AlOx barrier itself, which are responsible for the improvement of tunneling magnetoresistance in MTJs after anneal at 280℃. |
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| Keywords: | magnetic tunnel junctions tunneling magnetoresistance high-resolution electron microscopy electron holography |
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