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半导体氧化锡粉末直流电阻的测定
引用本文:徐丽金. 半导体氧化锡粉末直流电阻的测定[J]. 应用化学, 1994, 11(6): 45-48
作者姓名:徐丽金
作者单位:南昌大学化工系
摘    要:粒径为0.02~10μm的半导体氧化锡粉末在真空中充分脱气和施加高于40MPa压力可获得重现性较好的直流电阻。无锑掺杂氧化锡粉末的直流电阻随试样冷却吸附的温度而异,讨论了多晶氧化锡粉末的结构对电阻测定的影响。

关 键 词:氧化锡粉末,直流电阻,测定
收稿时间:1994-02-07

DC Resistance Determination on Semiconducting Tin Oxide Powder
Xu Lijin. DC Resistance Determination on Semiconducting Tin Oxide Powder[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1994, 11(6): 45-48
Authors:Xu Lijin
Abstract:
Keywords:tin oxide powder  d   c. resistance  determination  
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