| 原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响 |
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| 引用本文： | 马新宇,陈茜,廖杨芳,肖清泉,陈庆,姚紫祎,谢泉.原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响[J].低温物理学报,2017,39(5):16-20. |
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| 作者姓名： | 马新宇 陈茜 廖杨芳 肖清泉 陈庆 姚紫祎 谢泉 |
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| 作者单位： | 1贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
2贵州师范大学物理与电子科学学院，贵阳 550001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61264004)，贵州省青年英才培养工程项目(黔省专合字[2012]152），贵州省科技厅、贵州大学联合资金项目(黔科合LH字[2014]7610)，贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015)，贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004，[2013]7003)，贵州省教育厅“125”重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003)，贵州省自然科学基金项目(黔科合J字[2013]2209，[2014]2052)，贵州大学引进人才科研资助项目（贵大人基合字[2012]022）。 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg_2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400~600℃退火温度下制备出一系列Mg_2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg_2Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg_2Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg_2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.
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| 关 键 词： | 磁控溅射，原位退火，Mg2Si薄膜，退火温度，方块电阻 |
Effects of In-situ Annealing Temperature on Structure and Square Resistance of Mg2Si Thin Films |
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| Ma Xinyu,Chen Qian,Liao Yangfang,Xiao Qingquan,Chen Qing,Yao Ziyi,Xie quan.Effects of In-situ Annealing Temperature on Structure and Square Resistance of Mg2Si Thin Films[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2017,39(5):16-20. |
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| Authors: | Ma Xinyu Chen Qian Liao Yangfang Xiao Qingquan Chen Qing Yao Ziyi Xie quan |
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| Institution: | 1 Institute of Advanced Semiconductor Materials and Technology, College of Big date and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China
2 School of Physics and Electronic Science of Guizhou Normal University, Guiyang 550001 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering in situ annealing Mg2Si film annealing temperature square resistance |
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