| Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 刘建军,陈三. Ga掺杂ZnO电子结构和吸收光谱的第一性原理研究[J]. 原子与分子物理学报, 2010, 27(3): 575-580. DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.03.032 |
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| 作者姓名： | 刘建军 陈三 |
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| 作者单位： | 淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北,235000 |
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| 摘 要： | 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了纤锌矿ZnO掺杂Ga前后的电子结构和光学性质.计算结果表明,ZnO中引入杂质Ga后,导带底主要由Ga4s态和Zn4s态构成,并且Ga4s态跨过费米能级,形成n型半导体.计算得到电子浓度为2.42×10~(21)cm~(-3),掺Ga有效提高了ZnO的载流子浓度.同时ZnO掺Ga后,ZnO的光学带隙从3.47 eV展宽为4.25 eV,并且在可见光区几乎无吸收,是理想的透明导电材料.
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| 关 键 词： | 第一性原理 电子结构 吸收光谱 Ga掺杂ZnO |
First-principles study on the electronic and absorption spectrum of Ga-doped ZnO |
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| LIU Jian-Jun,CHEN San. First-principles study on the electronic and absorption spectrum of Ga-doped ZnO[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2010, 27(3): 575-580. DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.03.032 |
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| Authors: | LIU Jian-Jun CHEN San |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | first-principles electronic structure absorption spectrum Ga-doped ZnO |
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