| C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究 |
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| 引用本文： | 邱晓燕,李建. C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究[J]. 化学物理学报, 2002, 15(4): 317-320 |
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| 作者姓名： | 邱晓燕 李建 |
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| 作者单位： | 西南师范大学物理系 重庆400715(邱晓燕)，西南师范大学物理系 重庆400715(李建) |
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| 基金项目： | 国家教育部骨干教师资助项目~~ |
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| 摘 要： | 用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种“多层三明治结构”的光致发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,然后分别在 40 0、6 5 0和 75 0℃退火 1h .在波长为 2 5 0nm的紫外光激发下 ,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在 398nm (3.12eV)处的紫光宽带PL1峰 .在 6 5 0℃退火后 ,又出现了一个在 36 0nm (3.44eV)附近的PL2 峰 .PL1和PL2 峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关 ,但强度却与退火温度和激发波长密切相关 .结合形态结构分析可知 ,紫光PL1峰可用量子限制 -发光中心 (QC LCs)模型进行解释 :即光激发发生在SiO2 微粒内部 ,而光发射源于SiO2 与Si界面上的缺陷中心 .紫外荧光PL2 峰则源自SiC内部的电子 空穴复合发光
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| 关 键 词： | 光致发光 Si(SiO2)纳米微粒 C膜 |
| 收稿时间： | 2001-09-04 |
The Photoluminescence Property of Annealed C (Film) /Si ( SiO2 ) ( Nanometer Particles) /C (Film) |
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| Qiu Xiaoyan and Li Jian. The Photoluminescence Property of Annealed C (Film) /Si ( SiO2 ) ( Nanometer Particles) /C (Film)[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2002, 15(4): 317-320 |
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| Authors: | Qiu Xiaoyan and Li Jian |
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| Affiliation: | Qiu Xiaoyan **,Li Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photoluminescence Si(SiO 2) nanometer particle Carbon film |
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