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镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
引用本文:葛秀涛,倪受春. 镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响[J]. 化学物理学报, 2002, 15(2): 157-160
作者姓名:葛秀涛  倪受春
作者单位:滁州师范专科学校化学系 滁州239012(葛秀涛),滁州师范专科学校物理系 滁州239012(倪受春)
基金项目:安徽省教育厅自然科学基金资助项目 (2 0 0 1kj183)~~
摘    要:用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2 O3 纳米粉 ,研究了镁掺杂对In2 O3 电导和气敏性能的影响 .结果表明 :MgO和In2 O3 间可形成有限固溶体In2 -xMgxO3 (0≤x≤ 0 .40 ) ;MgIn× 电离的空穴对材料导带电子的湮灭 ,使掺镁纳米粉的电导变得很小 ;n(Mg2 + )∶n(In3 + ) =1∶2共沉淀物于 90 0℃下热处理 4h ,用所得的纳米粉制作的传感器在 32 0~ 370℃下 ,对 45 μmol/LC2 H5OH的灵敏度达 10 2 .5 ,为相同浓度干扰气体Petrol的 12倍多 .

关 键 词:Mg2+  In2-xMgxO3  电导  酒敏传感器
收稿时间:2001-10-17

Effect of MgO Doping on the Conductance and Gas-sensing Properties of In2 O3
Ge Xiutao and Ni Shouchun. Effect of MgO Doping on the Conductance and Gas-sensing Properties of In2 O3[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2002, 15(2): 157-160
Authors:Ge Xiutao and Ni Shouchun
Affiliation:Ge Xiutao a**,Ni Shouchun b
Abstract:
Keywords:Mg 2+    In 2- x Mg x O 3   Conductance   Ethanol sensing sensor
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