| 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计 |
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| 引用本文： | 何荣,吕坚,蒋亚东.一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计[J].现代电子技术,2009,32(4). |
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| 作者姓名： | 何荣 吕坚 蒋亚东 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金，教育部新世纪优秀人才支持计划 |
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| 摘 要： | 设计一种低温漂低功耗的带隙基准结构,在传统带隙基准核心电路结构上增加一对PNP管,两个双极型晶体管叠加的结构减小了运放的失调电压对输出电压的影响,降低了基准电压的温度失调系数.电路设计与仿真基于CSMC0.5μm CMOS工艺,经流片,测得室温下带隙基准输出电压为1.326 65 V,在-40～+85℃范围内的温度系数为2.563 ppm/℃;在3.3 V电源电压下,整个电路的功耗仅为2.81μW;在2～4 V之间的电源调整率为206.95 ppm.
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| 关 键 词： | 带隙基准 低温漂 低功耗 |
Design of Low Temperature Drift and Low Power Consumption Bandgap Reference |
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| HE Rong,LV Jian,JIANG Yadong.Design of Low Temperature Drift and Low Power Consumption Bandgap Reference[J].Modern Electronic Technique,2009,32(4). |
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| Authors: | HE Rong LV Jian JIANG Yadong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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