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高温晶闸管的研究
引用本文:李曼,汲有光.高温晶闸管的研究[J].辽宁工程技术大学学报(自然科学版),1989(3).
作者姓名:李曼  汲有光
作者单位:阜新市晶体管厂 (李曼),阜新矿业学院(汲有光)
摘    要:本文探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,提高SCR最高工作结温,并使之尽量达到理论值的方法.

关 键 词:导带  雪崩  扩散  禁带  杂质  迁移率  本征  势垒

HIGH TEMPERATURE SILICON COTROLLED RECTIFIER
Li Man Ji Youguang.HIGH TEMPERATURE SILICON COTROLLED RECTIFIER[J].Journal of Liaoning Technical University (Natural Science Edition),1989(3).
Authors:Li Man Ji Youguang
Institution:Li Man Ji Youguang
Abstract:In the production process of the silicon controlled rectifier (SCR) theway to use reasonable techniques and raise highest junction temperature of SCR is discussed in this paper with a view to reach theretical volue.
Keywords:conduct area  snowslade  diffusion  restricted area  impurity  move rate  original feature  Power build
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