| 基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能 |
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| 引用本文： | 陈祥,赵浩兵,罗芷琪,胡海龙,郭太良,李福山.基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能[J].发光学报,2022,43(4):501-508. |
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| 作者姓名： | 陈祥 赵浩兵 罗芷琪 胡海龙 郭太良 李福山 |
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| 作者单位： | 福州大学 物理与信息工程学院, 福建 福州 350108 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(62075043)资助项目~~； |
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| 摘 要： | 磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注.本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs.当Se粉与Zn(St)2的质量比为1:15时,InP/ZnSe/ZnS Q...
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| 关 键 词： | 磷化铟量子点 荧光量子效率 发光二极管 |
Optoelectronic Properties of InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots with Different ZnSe Shell Layer Thicknesses |
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| CHEN Xiang,ZHAO Hao-bing,LUO Zi-qi,HU Hai-long,GUO Tai-liang,LI Fu-shan.Optoelectronic Properties of InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots with Different ZnSe Shell Layer Thicknesses[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(4):501-508. |
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| Authors: | CHEN Xiang ZHAO Hao-bing LUO Zi-qi HU Hai-long GUO Tai-liang LI Fu-shan |
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