| GaAs／GaAlAs脊型波导交变式Δβ耦合器 |
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| 引用本文： | 王立军,武胜利,Ｒ．Ｐ．萨拉第.GaAs／GaAlAs脊型波导交变式Δβ耦合器[J].光学学报,1994,14(2):217-221. |
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| 作者姓名： | 王立军 武胜利 Ｒ．Ｐ．萨拉第 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所，瑞士洛桑联邦技术学院 |
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| 摘 要： | 研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式Δβ耦合器．通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作．
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| 关 键 词： | 光调制，光耦合器 |
| 收稿时间： | 1993/2/8 |
GaAs/GaAlAs Heterostructure Rib Waveguide Stepped Δβ Coupler |
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| Wang Lijun, Wu Shengli.GaAs/GaAlAs Heterostructure Rib Waveguide Stepped Δβ Coupler[J].Acta Optica Sinica,1994,14(2):217-221. |
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| Authors: | Wang Lijun Wu Shengli |
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| Abstract: | GaAs/GaAlAs heterostruture rib waveguide coupler with "stepped Δβ" Schottky electrodes has been investigated by using ion-etching and liftoff mask techniques, and optimization design of device structure and lowering epitaxy layer carrier concentration. Total losses of 10 dB and extinction ratio of 26.8 dB are obtained for single-mode operation at 1.3 μm. |
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| Keywords: | optical modulation optical coupler |
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