| δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究 |
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| 引用本文： | 沈文忠,唐文国,沈学础,A.Dimoulas.δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究[J].物理学报,1995,44(5):779-787. |
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| 作者姓名： | 沈文忠 唐文国 沈学础 A.Dimoulas |
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| 作者单位： | (1)Foundation,forResearchandTechnology-Hellas,P.O.Box1527,Heraklion71ll0,Crete,Greece; (2)中国科学院红外物理国家重点实验室,上海200083 |
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| 摘 要： | 报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。
关键词：
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| 关 键 词： | 赝形异质结 电子迁移率 InGaAs 砷化镓 晶体管 |
| 收稿时间： | 2/1/1994 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 9/5/1994 12:00:00 AM |
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