δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密… |
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作者姓名: | 沈文忠 唐文国 |
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摘 要: | 报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al0.30Ga0.70As/In0.15Ga0.85As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到m=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs的系统中观察了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未
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关 键 词: | AlGaAs 砷化镓 晶体管 费密边奇异性 |
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